[發(fā)明專利]一種超高分辨率含金屬嵌段共聚物及其制備方法與應(yīng)用

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202010058407.5
• 申請日: 2020-01-19
• 公開（公告）號: CN111187389A
• 公開（公告）日: 2020-05-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄧海;李雪苗;楊振宇
• 申請（專利權(quán)）人: 復(fù)旦大學(xué)
• 主分類號: C08F297/02
• 分類號: C08F297/02;C08F226/06;C08F220/24;C08F8/42;C08F230/04;G03F7/004
• 代理公司: 上海科盛知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31225
• 代理人: 吳文濱

1.一種超高分辨率含金屬嵌段共聚物，其特征在于，所述的嵌段共聚物包含嵌段A及嵌段B，所述的嵌段A及嵌段B均由單體聚合得到，并且所述的嵌段A和/或嵌段B中部分重復(fù)單元含金屬元素。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超高分辨率含金屬嵌段共聚物，其特征在于，所述的嵌段A由A1組單體或A2組單體聚合得到，所述的A1組單體包括烯基和R₃取代的C6-C10芳基化合物，所述的A2組單體包括烯基和R₃取代的含1-4個雜原子的C6-C10雜芳基化合物，所述的雜原子選自N、O、S或P，所述的R₃選自下組之一：無、鹵素、取代或未取代的C1-C6烷基、取代或未取代的C1-C6烷氧基。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種超高分辨率含金屬嵌段共聚物，其特征在于，所述的A2組單體選自下組之一：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超高分辨率含金屬嵌段共聚物，其特征在于，所述的嵌段B由如下單體聚合得到：

其中，R₁選自下組之一：H、鹵素、取代或未取代的C1-C6的烷基、取代或未取代的C1-C6的烷氧基、取代或未取代的C6-C10芳基；

R₂選自下組之一：取代或未取代的C1-C40烷基、取代或未取代的C3-C30環(huán)烷基。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超高分辨率含金屬嵌段共聚物，其特征在于，所述的金屬元素選自Fe、Co、Ni、Ti、V、Nb、Zr、Hf、Ta、W、Pb、Au、Mn、Cr、Pt。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超高分辨率含金屬嵌段共聚物，其特征在于，含金屬元素單體的數(shù)量占總單體數(shù)量的1-60％，嵌段A中的單體數(shù)量與嵌段B中的單體數(shù)量之比為(1-500):(1-500)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超高分辨率含金屬嵌段共聚物，其特征在于，所述的嵌段共聚物具有下述特征中的一個或多個：

1)所述的嵌段共聚物的多分散性PDI≤1.40；

2)所述的嵌段共聚物的數(shù)均分子量為1000-250000；

3)所述的嵌段共聚物相分離和自組裝所需退火溫度≤200℃；

4)所述的嵌段共聚物的磁感應(yīng)強度≥2×10^-6G；

5)所述的嵌段共聚物相分離和自組裝所需磁場強度≤8T；

6)所述的嵌段共聚物自組裝所得產(chǎn)物的組裝間距≤100nm。

8.一種如權(quán)利要求1至7任一項所述的超高分辨率含金屬嵌段共聚物的制備方法，其特征在于，該方法為：先合成嵌段A，之后將嵌段A與嵌段B組合在一起，最后將金屬元素修飾在嵌段A和/或嵌段B上。

9.一種如權(quán)利要求1至7任一項所述的超高分辨率含金屬嵌段共聚物的制備方法，其特征在于，該方法為：使用含金屬元素的單體直接合成嵌段共聚物。

10.一種如權(quán)利要求1至7任一項所述的超高分辨率含金屬嵌段共聚物在光刻材料中的應(yīng)用。