[發(fā)明專利]一種放電結(jié)構(gòu)、集塵裝置以及電凈化器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010058401.8 | 申請日： | 2020-01-17 |
| 公開（公告）號： | CN111111925A | 公開（公告）日： | 2020-05-08 |
| 發(fā)明（設計）人： | 肖德玲;封宗瑜;曾煥雄;王墅;董雙幸;趙琛;趙勇;劉志輝 | 申請（專利權(quán)）人： | 珠海格力電器股份有限公司 |
| 主分類號： | B03C3/43 | 分類號： | B03C3/43 |
| 代理公司： | 北京三聚陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250 | 代理人： | 鄭越 |
| 地址： | 519000*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 放電 結(jié)構(gòu) 集塵 裝置 以及 凈化器 | ||
1.一種放電結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
納米級放電層(1)；
絕緣包裹層或半導體包裹層，包覆在所述納米級放電層(1)相對的兩個表面上，且暴露部分所述納米級放電層(1)，暴露在外的所述納米級放電層(1)形成放電電極(3)，絕緣包裹層或半導體包裹層與包裹在內(nèi)的所述納米級放電層(1)形成排斥電極(4)，且所述放電電極(3)形成在所述排斥電極(4)相對的兩端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的放電結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絕緣包裹層或半導體包裹層與所述納米級放電層(1)編織連接或粘貼連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的放電結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述納米級放電層(1)由多股納米導電單元或納米半導體單元編織形成，每股納米導電單元或納米半導體單元包括1000－12000根納米導電絲或納米半導體絲。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的放電結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述納米導電絲或納米半導體絲的直徑為7μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的放電結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述納米導電絲為碳纖維、銅絲或鋁絲。
6.根據(jù)權(quán)利要求1－5任一項所述的放電結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絕緣包裹層或半導體包裹層為聚四氟乙烯層或聚酰亞胺層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項所述的放電結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絕緣包裹層或半導體包裹層的厚度小于200mm。
8.一種集塵裝置，其特征在于，包括多組串聯(lián)設置的權(quán)利要求1-7任一項所述的放電結(jié)構(gòu)，且相鄰兩個所述放電結(jié)構(gòu)之間設有靜電收集板(5)。
9.一種電凈化器，其特征在于，包括至少一組權(quán)利要求1-7任一項所述的放電結(jié)構(gòu)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電凈化器，其特征在于，電凈化器的進風口和出風口分別設置至少一組所述放電結(jié)構(gòu)。
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