[發(fā)明專利]硅基板蝕刻溶液及使用其的半導(dǎo)體器件的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010058349.6 | 申請日： | 2020-01-19 |
| 公開（公告）號： | CN111484850B | 公開（公告）日： | 2023-08-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 柳浩成;金明炫;李浚銀;張平和 | 申請（專利權(quán)）人： | OCI有限公司 |
| 主分類號： | C09K13/06 | 分類號： | C09K13/06;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 呂琳;宋東穎 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 硅基板 蝕刻 溶液 使用 半導(dǎo)體器件 制造 方法 | ||
1.一種硅基板蝕刻溶液，其特征在于，
包含：
磷酸水溶液；以及
由下述化學(xué)式1表示的硅添加劑，
上述硅基板蝕刻溶液包含100ppm至10000ppm的上述硅添加劑，
化學(xué)式1：
在上述化學(xué)式1中，R1至R4分別獨(dú)立地選自氫、C1-C10烷基、C6-C12環(huán)烷基、含有至少一種雜原子的C2-C10雜烷基、C2-C10烯基、C2-C10炔基、C1-C10鹵烷基、C1-C10氨基烷基、芳基、雜芳基、芳烷基、羥基、氨基、鹵素、砜、膦、磷、巰基、烷氧基、酰胺、酯、酸酐、酰鹵、氰基、羧基及唑，
R1至R4中的至少兩個是由下述化學(xué)式2表示的官能團(tuán)，且R1至R4中的至少一個是羥基或鹵素，
化學(xué)式2：-Ar-((CH2)m-NR5R6)n
Ar為芳基或雜芳基，
m為1至4之間的整數(shù)，
R5及R6分別獨(dú)立地選自氫、C1-C10烷基、C6-C12環(huán)烷基，包含至少一種雜原子的C2-C10雜烷基、C2-C10烯基、C2-C10炔基、C1-C10鹵烷基及C1-C10氨基烷基，
n為1至5之間的整數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基板蝕刻溶液，其特征在于，上述Ar選自苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、蒽基、菲基及芘基。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基板蝕刻溶液，其特征在于，上述Ar選自吡咯基、吡啶基、噁唑基、異噁唑基、三唑基、噻唑基、異噻唑基、吡唑基、吡唑烷基、噁二唑基、噻二唑基、咪唑基、咪唑啉基、噠嗪基、三嗪基、哌啶基、吡嗪基及嘧啶基。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基板蝕刻溶液，其特征在于，R1至R4中的三個是由化學(xué)式2表示的官能團(tuán)，上述三個官能團(tuán)相同或不同。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基板蝕刻溶液，其特征在于，上述硅基板蝕刻溶液蝕刻由硅氧化膜組成的單層膜或同時包含硅氧化膜和硅氮化膜的多層膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基板蝕刻溶液，其特征在于，上述硅基板蝕刻溶液還包含選自氟化氫、氟化銨、二氟化銨及氟化氫銨中的至少一種含氟化合物。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基板蝕刻溶液，其特征在于，上述硅基板蝕刻溶液還包含具有由有機(jī)類陽離子與氟類陰離子離子鍵合的形態(tài)的含氟化合物。
8.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括利用權(quán)利要求1所述的硅基板蝕刻溶液來執(zhí)行的蝕刻工序。
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