[發(fā)明專利]磁存儲器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010057668.5 | 申請日： | 2020-01-19 |
| 公開（公告）號： | CN111244266A | 公開（公告）日： | 2020-06-05 |
| 發(fā)明（設計）人： | 趙巍勝;熊丹榮;彭守仲 | 申請（專利權）人： | 北京航空航天大學 |
| 主分類號： | H01L43/06 | 分類號： | H01L43/06;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京三友知識產(chǎn)權代理有限公司 11127 | 代理人： | 王濤;孫乳筍 |
| 地址： | 100191*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 磁存儲器 | ||
1.一種磁存儲器，其特征在于，包括：
第一反鐵磁層，用于提供交換偏置場；
插入層，設置在所述反鐵磁層上，用于阻擋退火過程中第一反鐵磁層的材料的擴散；
自由鐵磁層結構，設置在所述插入層上；
第一勢壘層，設置在所述自由鐵磁層結構上；
參考鐵磁層結構，設置在所述第一勢壘層上，具有固定的磁化方向；
其中，所述自由鐵磁層結構的磁化方向與所述參考鐵磁層結構的磁化方向平行或反平行。
2.根據(jù)權利要求1所述的磁存儲器，其特征在于，還包括：
緩沖層；所述第一反鐵磁層設置在所述緩沖層上。
3.根據(jù)權利要求2所述的磁存儲器，其特征在于，還包括：
基底；所述緩沖層設置在所述基底上。
4.根據(jù)權利要求1所述的磁存儲器，其特征在于，還包括：
人造反鐵磁層；所述人造反鐵磁層設置在所述參考鐵磁層結構上。
5.根據(jù)權利要求4所述的磁存儲器，其特征在于，還包括：
覆蓋層；所述覆蓋層設置在所述人造反鐵磁層上。
6.根據(jù)權利要求5所述的磁存儲器，其特征在于，還包括：
保護層；所述保護層設置在所述覆蓋層上。
7.根據(jù)權利要求1-6任一權利要求所述的磁存儲器，其特征在于，
所述自由鐵磁層結構包括：第一鐵磁層；
所述參考鐵磁層結構包括：第二鐵磁層。
8.根據(jù)權利要求1-6任一權利要求所述的磁存儲器，其特征在于，
所述自由鐵磁層結構包括：第三鐵磁層；
所述參考鐵磁層結構包括：
第四鐵磁層、第一金屬層、第五鐵磁層和第二勢壘層；
所述第四鐵磁層設置在所述第一勢壘層上；
所述第一金屬層位于所述第四鐵磁層與所述第五鐵磁層之間；
所述第五鐵磁層位于所述第一金屬層和所述第二勢壘層之間。
9.根據(jù)權利要求1-6任一權利要求所述的磁存儲器，其特征在于，所述自由鐵磁層結構包括：
第六鐵磁層、第二金屬層和第七鐵磁層；
所述第六鐵磁層設置在所述插入層上；
所述第二金屬層位于所述第六鐵磁層和所述第七鐵磁層之間；
所述參考鐵磁層結構包括：第八鐵磁層。
10.根據(jù)權利要求1-6任一權利要求所述的磁存儲器，其特征在于，所述自由鐵磁層結構包括：
第九鐵磁層、第三勢壘層和第十鐵磁層；
所述第九鐵磁層設置在所述插入層上；
所述第三勢壘層位于所述第九鐵磁層和所述第十鐵磁層之間；
所述參考鐵磁層結構包括：第十一鐵磁層。
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