[發明專利]一種二次電池負極材料用納米硅粒子的制造方法有效
| 申請號： | 202010057479.8 | 申請日： | 2020-01-19 |
| 公開（公告）號： | CN111785952B | 公開（公告）日： | 2021-10-29 |
| 發明（設計）人： | 金奉淵;李琰;張滿強 | 申請（專利權）人： | 成都拓米電子裝備制造有限公司 |
| 主分類號： | H01M4/38 | 分類號： | H01M4/38;H01M10/0525;C01B33/021;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知識產權代理有限公司 51214 | 代理人： | 李想 |
| 地址： | 611730 四川省成都市郫都*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 二次 電池 負極 材料 納米 粒子 制造 方法 | ||
1.一種二次電池負極材料用納米硅粒子的制造方法，該方法包括：
將A硅晶片經水溶性粘合劑處理，以獲取表面帶有水溶性粘合劑膜的B硅晶片；
將B硅晶片進行激光照射獲取C硅晶片并通過C硅晶片制備高濃度的納米顆粒溶液；
通過高濃度納米硅溶液制備納米硅粉末；
其中，采用蒸餾水對C硅晶片進行清洗以制備高濃度的納米顆粒溶液，且蒸餾水的水溫大于40℃。
2.根據權利要求1所述的二次電池負極材料用納米硅粒子的制造方法，其特征在于，所述水溶性粘合劑為聚醋酸乙烯酯、聚乙烯醇、糊精和阿拉伯樹膠中的一種或幾種的組合。
3.根據權利要求1所述的二次電池負極材料用納米硅粒子的制造方法，其特征在于，所述激光照射的方式為激光劃線且至少進行一次激光劃線，劃線間隔大于100um，激光劃線的速度為100mm/s～1000mm/s。
4.根據權利要求1所述的二次電池負極材料用納米硅粒子的制造方法，其特征在于，所述激光照射的方式為激光掃描且至少進行一次激光掃描，激光掃描的速度為100mm/s～1000mm/s。
5.根據權利要求1、3或4中任一項所述的二次電池負極材料用納米硅粒子的制造方法，其特征在于，所述激光照射中激光的波長λ的范圍為250～1100納米。
6.根據權利要求1所述的二次電池負極材料用納米硅粒子的制造方法，其特征在于，通過過濾器對高濃度納米硅溶液進行過濾處理，以制備納米硅粉末。
7.根據權利要求1所述的二次電池負極材料用納米硅粒子的制造方法，其特征在于，通過對高濃度納米硅溶液進行加熱以制備納米硅粉末，且加熱溫度大于100℃。
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