[發明專利]顯示裝置在審
| 申請號: | 202010056977.0 | 申請日: | 2020-01-16 |
| 公開(公告)號: | CN111463240A | 公開(公告)日: | 2020-07-28 |
| 發明(設計)人: | 樸埈賢;金瞳祐;文盛載;趙康文 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G09G3/3233 |
| 代理公司: | 北京鉦霖知識產權代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艷;李志新 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置,其中,所述顯示裝置包括:
基底;
第一導電層,包括設置在所述基底上的下部圖案;
第一絕緣層,設置在所述第一導電層上;
有源圖案,設置在所述第一絕緣層上,并包括源區、溝道區和漏區;
第二導電層,設置在所述有源圖案上,并包括與所述溝道區重疊的柵電極和連接到所述柵電極的驅動柵電極;
第二絕緣層,設置在所述第二導電層上;
第三導電層,設置在所述第二絕緣層上,并包括與所述驅動柵電極重疊的電容器電極;
第三絕緣層,設置在所述第三導電層上;
第四導電層,設置在所述第三絕緣層上,并包括與所述電容器電極重疊的附加電容器電極;
第四絕緣層,設置在所述第四導電層上;以及
像素電極層,包括設置在所述第四絕緣層上的像素電極,
其中,所述驅動柵電極和所述電容器電極形成存儲電容器,所述像素電極和所述附加電容器電極形成第一附加電容器,并且所述電容器電極和所述附加電容器電極形成第二附加電容器。
2.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,
所述驅動柵電極和所述附加電容器電極彼此電連接。
3.根據權利要求2所述的顯示裝置,其中,
在與所述驅動柵電極重疊且不與所述電容器電極重疊的區域中,所述附加電容器電極通過形成在所述第二絕緣層和所述第三絕緣層中的接觸孔連接到所述驅動柵電極。
4.根據權利要求2所述的顯示裝置,其中,
所述下部圖案、所述電容器電極和所述像素電極彼此電連接。
5.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,
所述下部圖案與所述柵電極重疊,以形成重疊電容器。
6.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,
所述第三導電層還包括與所述電容器電極間隔開的數據線,并且
所述第四導電層還包括設置在所述數據線的端部處并接觸所述端部的第一接觸部。
7.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,
所述第四導電層還包括設置在所述像素電極和所述電容器電極之間并接觸所述像素電極和所述電容器電極的第二接觸部。
8.根據權利要求7所述的顯示裝置,其中,
所述附加電容器電極與所述第二接觸部電隔離。
9.一種顯示裝置,其中,所述顯示裝置包括:
基底;
第一導電層,包括設置在所述基底上的下部圖案;
第一絕緣層,設置在所述第一導電層上;
有源圖案,設置在所述第一絕緣層上,并包括源區、溝道區和漏區;
第二導電層,設置在所述有源圖案上,并包括與所述溝道區重疊的柵電極和連接到所述柵電極的驅動柵電極;
第二絕緣層,設置在所述第二導電層上;
第三導電層,設置在所述第二絕緣層上,并包括數據線和附加電容器電極;
第三絕緣層,設置在所述第三導電層上;
第四導電層,設置在所述第三絕緣層上,并包括設置在所述數據線的端部上并接觸所述端部的第一接觸部;
第四絕緣層,設置在所述第四導電層上;
作為第五導電層的像素電極層,包括設置在所述第四絕緣層上的像素電極;
第五絕緣層,設置在所述第四絕緣層上;
第六絕緣層,設置在所述第二導電層和所述第二絕緣層之間;以及
第六導電層,設置在所述第六絕緣層和所述第二絕緣層之間,并包括與所述驅動柵電極重疊的電容器電極,
其中,所述驅動柵電極和所述電容器電極形成存儲電容器,所述像素電極和所述附加電容器電極形成第一附加電容器,并且所述電容器電極和所述附加電容器電極形成第二附加電容器。
10.根據權利要求9所述的顯示裝置,其中,
所述驅動柵電極和所述附加電容器電極彼此電連接。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于三星顯示有限公司,未經三星顯示有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010056977.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





