[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件及其制造方法

在審

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• 申請日: 2020-01-17
• 公開（公告）號: CN113140634A
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權(quán)）人: 張清純
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250
• 代理人: 王藝涵

本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，該半導(dǎo)體器件包括：第一半導(dǎo)體區(qū)，第一半導(dǎo)體區(qū)為第一導(dǎo)電類型；至少兩個第二半導(dǎo)體區(qū)，沿第一方向設(shè)置在第一半導(dǎo)體區(qū)內(nèi)，相鄰的兩個第二半導(dǎo)體區(qū)之間的第一半導(dǎo)體區(qū)形成結(jié)場效應(yīng)區(qū)，第二半導(dǎo)體區(qū)為第二導(dǎo)電類型，第二導(dǎo)電類型與第一導(dǎo)電類型相反；第三半導(dǎo)體區(qū)，設(shè)置在第二半導(dǎo)體區(qū)內(nèi)，且沿第一方向的一側(cè)與結(jié)場效應(yīng)區(qū)間隔設(shè)置，另一側(cè)延伸至第二半導(dǎo)體區(qū)的邊緣，第三半導(dǎo)體區(qū)是第一導(dǎo)電類型。由于第三半導(dǎo)體區(qū)可以沿第一方向延伸至第二半導(dǎo)體區(qū)的邊緣，從而可以增加第三半導(dǎo)體區(qū)的面積，增加電子的導(dǎo)電面積，降低半導(dǎo)體器件的接觸電阻。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及晶體管結(jié)構(gòu)領(lǐng)域，具體涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。

背景技術(shù)

傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件，如圖9所示，在第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體區(qū)11內(nèi)設(shè)置有至少兩個第二導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體區(qū)12。在第二半導(dǎo)體區(qū)12內(nèi)設(shè)置有第一導(dǎo)電類型的第三半導(dǎo)體區(qū)13。在半導(dǎo)體器件中，由于第二導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體區(qū)12需要接地，且為了提高第二半導(dǎo)體區(qū)12歐姆接觸電阻，且為了在半導(dǎo)體器件運(yùn)行時抽取第二半導(dǎo)體區(qū)12內(nèi)的空穴，通常在第二半導(dǎo)體區(qū)12內(nèi)，與第一導(dǎo)電類型的第三半導(dǎo)體區(qū)13相鄰區(qū)域設(shè)置第二導(dǎo)電類型的第四半導(dǎo)體區(qū)14。對于傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件，一個潛在的問題是半導(dǎo)體器件的導(dǎo)通電阻較大，半導(dǎo)體器件的開關(guān)響應(yīng)時間較長。為了減少半導(dǎo)體器件的開關(guān)響應(yīng)時間，需要進(jìn)一步降低半導(dǎo)體器件的導(dǎo)通電阻。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明提出了一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，以解決現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件導(dǎo)通電阻較大，半導(dǎo)體器件的開關(guān)響應(yīng)時間長的問題。

根據(jù)第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：第一半導(dǎo)體區(qū)，第一半導(dǎo)體區(qū)為第一導(dǎo)電類型；至少兩個第二半導(dǎo)體區(qū)，沿第一方向設(shè)置在第一半導(dǎo)體區(qū)內(nèi)，相鄰的兩個第二半導(dǎo)體區(qū)之間的第一半導(dǎo)體區(qū)形成結(jié)場效應(yīng)區(qū)，第二半導(dǎo)體區(qū)為第二導(dǎo)電類型，第二導(dǎo)電類型與第一導(dǎo)電類型相反；第三半導(dǎo)體區(qū)，設(shè)置在第二半導(dǎo)體區(qū)內(nèi)，且沿第一方向的一側(cè)與結(jié)場效應(yīng)區(qū)間隔設(shè)置，另一側(cè)延伸至第二半導(dǎo)體區(qū)的邊緣，第三半導(dǎo)體區(qū)是第一導(dǎo)電類型。

可選地，結(jié)場效應(yīng)區(qū)為多個，且沿第二方向間隔設(shè)置，第二方向與第一方向垂直。

可選地，半導(dǎo)體器件還包括：至少一個第四半導(dǎo)體區(qū)，設(shè)置在第一半導(dǎo)體區(qū)內(nèi)，在第二方向上與結(jié)場效應(yīng)區(qū)間隔設(shè)置，第二方向與第一方向垂直，第四半導(dǎo)體區(qū)是第二導(dǎo)電類型。

可選地，半導(dǎo)體器件還包括：柵極，設(shè)置在第一半導(dǎo)體區(qū)的第一表面上，且至少設(shè)置在第一半導(dǎo)體區(qū)與第三半導(dǎo)體區(qū)之間的位置處。

可選地，半導(dǎo)體器件還包括：源極，設(shè)置在第三半導(dǎo)體區(qū)和/或第四半導(dǎo)體區(qū)上。

可選地，半導(dǎo)體器件還包括：漏極，設(shè)置在第一半導(dǎo)體區(qū)的第二表面上。

可選地，第二半導(dǎo)體區(qū)的寬度為1.0μm－5.0μm，第二半導(dǎo)體區(qū)的深度為0.5μm－3.0μm。

可選地，第二半導(dǎo)體區(qū)的摻雜濃度大于5×10¹⁶cm^－3－5×10¹⁹cm^－3。

可選地，第三半導(dǎo)體區(qū)的寬度為0.5μm－5.0μm，第三半導(dǎo)體區(qū)的深度為0.2μm－1.0μm。

可選地，第三半導(dǎo)體區(qū)的摻雜濃度大于5×10¹⁸cm^－3。

根據(jù)第二方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：形成第一半導(dǎo)體區(qū)，第一半導(dǎo)體區(qū)為第一導(dǎo)電類型；沿第一方向在第一半導(dǎo)體區(qū)內(nèi)形成至少兩個第二半導(dǎo)體區(qū)，相鄰的兩個第二半導(dǎo)體區(qū)之間的第一半導(dǎo)體區(qū)形成結(jié)場效應(yīng)區(qū)，第二半導(dǎo)體區(qū)為第二導(dǎo)電類型，第二導(dǎo)電類型與第一導(dǎo)電類型相反；在第二半導(dǎo)體區(qū)內(nèi)形成第三半導(dǎo)體區(qū)，第三半導(dǎo)體區(qū)沿第一方向的一側(cè)與結(jié)場效應(yīng)區(qū)間隔設(shè)置，另一側(cè)延伸至第二半導(dǎo)體區(qū)的邊緣，第三半導(dǎo)體區(qū)是第一導(dǎo)電類型。