[發(fā)明專利]一種新型磁性薄層印跡膜的制備方法及用途有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010056878.2 | 申請(qǐng)日： | 2020-01-17 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN111171233B | 公開(kāi)（公告）日： | 2023-03-31 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 于萍;孫啟隆;李劍峰;英昌盛;張偉 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 吉林師范大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | C08F222/14 | 分類號(hào)： | C08F222/14;C08F220/56;C08K3/22;C08J9/26;C08J5/18;C08L35/02;C08L27/16;B01J20/26;B01J20/28;B01J20/30 |
| 代理公司： | 吉林省長(zhǎng)春市新時(shí)代專利商標(biāo)代理有限公司 22204 | 代理人： | 曲德鳳 |
| 地址： | 136000 吉林*** | 國(guó)省代碼： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 新型 磁性 薄層 印跡 制備 方法 用途 | ||
本發(fā)明提供了一種新型磁力誘導(dǎo)青蒿素分子印跡復(fù)合膜的制備及用途，制備方法如下：步驟1、制備Fe3O4；步驟2、Fe3O4表面一步法制備薄層磁性青蒿素分子印跡聚合物；步驟3、制備磁場(chǎng)誘導(dǎo)青蒿素分子印跡復(fù)合膜。本發(fā)明利用磁場(chǎng)誘導(dǎo)的方法制備的分子印跡膜可以有效的克服傳統(tǒng)共混印跡膜制備耗時(shí)耗長(zhǎng)、識(shí)別位點(diǎn)易被包埋的缺點(diǎn)，通過(guò)一步法制備印跡聚合物、改變洗脫方式、借助磁場(chǎng)力增加有效識(shí)別位點(diǎn)數(shù)，進(jìn)而提高分子印跡效率，具有合成簡(jiǎn)單高效，選擇性效率高等優(yōu)點(diǎn)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于材料制備和分離技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種新型磁性薄層印跡膜的制備方法及用途。
背景技術(shù)
青蒿素(Artemisinin)是我國(guó)科學(xué)家從植物黃花蒿莖葉中提取的有過(guò)氧基團(tuán)的倍半萜內(nèi)酯藥物，是國(guó)際承認(rèn)的具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的抗瘧疾特效藥，在世界范圍內(nèi)得到了廣泛的使用。因此，青蒿素具有廣闊的發(fā)展前景和重大的開(kāi)發(fā)價(jià)值。青蒿素的提取分離主要采用索氏提取、有機(jī)溶劑提取，以及水蒸氣提取等方法，而采用分子印跡復(fù)合膜分離提取的方法鮮有報(bào)道。
將分子印跡技術(shù)與膜分離技術(shù)結(jié)合的分子印跡膜(MolecularImprintedMembrane，MIM)的開(kāi)發(fā)應(yīng)用是最具吸引力的研究之一。本研究兼具分子印跡及膜分離的優(yōu)點(diǎn)，一方面，分子印跡技術(shù)通過(guò)功能單體和目標(biāo)分子共聚生成聚合物，然后通過(guò)溶劑將目標(biāo)分子洗脫，最終在聚合物中可以留下在空間形狀以及確定官能團(tuán)上可與原來(lái)目標(biāo)分子完全相匹配的“記憶”空穴，這樣的空穴可以與混合物中的目標(biāo)分子進(jìn)行特異性結(jié)合，從而達(dá)到對(duì)目標(biāo)物的分離分析效果。另一方面，該技術(shù)克服了目前的商業(yè)膜材料如超濾、微濾及反滲透膜等無(wú)法實(shí)現(xiàn)單個(gè)物質(zhì)選擇分離的缺點(diǎn)，為將特定分子從結(jié)構(gòu)類似的混合物中分離出來(lái)提供了可行有效的解決途徑。然而，傳統(tǒng)的分子印跡膜存在很多缺陷，如共混制膜過(guò)程當(dāng)中，分子印跡聚合物容易被包埋在膜基質(zhì)內(nèi)部，導(dǎo)致識(shí)別位點(diǎn)不能與目標(biāo)分子充分接觸，且傳質(zhì)阻力增大，目標(biāo)分子吸附-脫附動(dòng)力學(xué)性能變差等，從而限制了印跡效果。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是要提供一種新型磁性薄層印跡膜的制備方法及用途。制備出一種能夠大幅度提升有效識(shí)別位點(diǎn)的復(fù)合材料印跡膜。該方法從一種新穎的角度出發(fā)，提供了一種提高傳統(tǒng)共混印跡膜印跡效果的新思路，在一定程度上解決了共混膜中識(shí)別位點(diǎn)包埋以及水通量小的問(wèn)題，通過(guò)增加有效識(shí)別位點(diǎn)數(shù)，進(jìn)而提高選擇性識(shí)別和分離效率。
本發(fā)明的技術(shù)方案
一種新型磁性薄層印跡膜的制備方法及用途，按以下步驟進(jìn)行：
步驟1、制備Fe3O4：
分別稱取一定量的六水合氯化鐵、乙酸鈉和聚乙二醇于燒杯中，隨后加入乙二醇，磁力攪拌均勻后將混合溶液轉(zhuǎn)移至聚四氟乙烯反應(yīng)釜，然后轉(zhuǎn)移至烘箱，于一定溫度下煅燒一定時(shí)間，待自然冷卻后取出，用研缽研磨至粉末，得到Fe3O4，待用；
步驟2、Fe3O4表面一步法制備薄層磁性青蒿素分子印跡聚合物：
量取一定量的乙腈于燒瓶中，并加入，青蒿素、丙烯酰胺、乙二醇二甲基丙烯酸酯、偶氮二異丁腈以及步驟一制備的Fe3O4置于熱水浴中，在一定溫度下機(jī)械攪拌一段時(shí)間后升溫至試驗(yàn)溫度繼續(xù)反應(yīng)，反應(yīng)完畢后通過(guò)磁性分離產(chǎn)物，隨后用甲醇/乙酸混合液洗脫青蒿素，直到紫外檢測(cè)不到青蒿素為止，隨即用乙醇多次洗滌產(chǎn)物，最終得到即青蒿素磁性印跡聚合物。
步驟3、制備磁場(chǎng)誘導(dǎo)青蒿素分子印跡復(fù)合膜：
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