[發(fā)明專利]一種基于MEMS的可調光衰減器陣列

在審

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• 申請日: 2020-01-16
• 公開（公告）號: CN113138443A
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發(fā)明（設計）人: 賈春艷;肖鵬;宋智華;陳營營;華金娥
• 申請（專利權）人: 福州高意通訊有限公司
• 主分類號: G02B6/26
• 分類號: G02B6/26;G02B26/08
• 代理公司: 福州君誠知識產權代理有限公司 35211
• 代理人: 戴雨君

1.一種基于MEMS的可調光衰減器陣列，其特征在于：依序包括光纖陣列、微透鏡陣列和基于MEMS的微型反射鏡陣列，組成具有若干個光衰減單元的可調光衰減器陣列。

2.如權利要求1所述的基于MEMS的可調光衰減器陣列，其特征在于：所述光纖陣列成對分布，成對光纖包括對應設置的入射光纖和出射光纖；所述微透鏡陣列中的透鏡呈現(xiàn)高精度的等間距分布，且相鄰透鏡間距與相鄰成對排布的光纖間距相同；所述基于MEMS的微型反射鏡陣列中的每一個反射鏡與微透鏡陣列中的透鏡、成對分布的光纖同軸等間距分布，均可以改變光束傳播方向，使光束產生錯位耦合損耗，進而實現(xiàn)對特定入射光的衰減調控。

3.如權利要求1所述的基于MEMS的可調光衰減器陣列，其特征在于：所述光纖陣列為裸光纖陣列或光纖頭陣列。

4.如權利要求1所述的基于MEMS的可調光衰減器陣列，其特征在于：所述微透鏡陣列所包含的微透鏡為柱面透鏡，為G-lens或者C-lens。

5.如權利要求1所述的基于MEMS的可調光衰減器陣列，其特征在于：所述微透鏡陣列為沖壓件、硅基刻蝕件或是借助定位裝置所得到的組裝件。

6.如權利要求1所述的基于MEMS的可調光衰減器陣列，其特征在于：所述可調光衰減器陣列批量調試且裝配于封裝結構內。

7.如權利要求6所述的基于MEMS的可調光衰減器陣列，其特征在于：所述封裝結構包括外封管和基座，所述外封管的一端與基座連接成一體，外封管的另一端具有通孔，供入射光纖與出射光纖通過；所述基座外部固定有若干組PIN腳，每一組PIN腳通過金絲與基于MEMS的微型反射鏡陣列中的MEMS芯片連接，用于為MEMS芯片提供驅動電壓，實現(xiàn)反射鏡片的角度扭轉。

8.如權利要求7所述的基于MEMS的可調光衰減器陣列，其特征在于：所述基座內側設有緩沖墊片，緩沖墊片為基于MEMS的微型反射鏡陣列提供振動和沖擊保護。

9.如權利要求7所述的基于MEMS的可調光衰減器陣列，其特征在于：所述外封管一端與基座的連接采用金錫焊或者電阻焊或者膠粘的方式裝配成一體。

10.如權利要求7所述的基于MEMS的可調光衰減器陣列，其特征在于：所述外封管另一端的通孔采用膠封裝。