[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010055368.3
• 申請(qǐng)日: 2017-05-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111192864B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-11-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉乃瑋;林子閎;彭逸軒;郭哲宏;周哲雅;黃偉哲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 聯(lián)發(fā)科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/498
• 分類號(hào): H01L23/498
• 代理公司: 深圳市威世博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280
• 代理人: 何青瓦

本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括：重分布層結(jié)構(gòu)，其中該重分布層結(jié)構(gòu)包括：導(dǎo)電跡線；以及重分布層接觸墊，電性耦接至該導(dǎo)電跡線；其中，該重分布層接觸墊，由對(duì)稱部分和連接至該對(duì)稱部分的延伸翼部分構(gòu)成，并且第一距離不同于第二距離，該第一距離指該對(duì)稱部分的中心點(diǎn)與該對(duì)稱部分的邊界之間的距離，該第二距離指該對(duì)稱部分的中心點(diǎn)與該延伸翼部分的邊界之間的距離。本發(fā)明實(shí)施例，通過(guò)對(duì)重分布層接觸墊的改進(jìn)，從而可以提高半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的可靠性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

為了確保電子產(chǎn)品與通信裝置的持續(xù)微型化和多功能性，業(yè)界期望半導(dǎo)體封裝具有小尺寸、支持多引腳連接，高速操作以及具有高功能性。這些影響將迫使半導(dǎo)體封裝制造者發(fā)展扇出(fan-out)半導(dǎo)體封裝。但是，多功能芯片封裝的大量增加的輸入/輸出連接可能引起熱電問(wèn)題，例如散熱，串?dāng)_，信號(hào)傳播延遲，RF(射頻)電路中的電磁干擾等問(wèn)題。熱電問(wèn)題會(huì)影響產(chǎn)品的可靠性和質(zhì)量。

因此，期待一種創(chuàng)新的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，可以提高可靠性。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括：重分布層結(jié)構(gòu)，其中該重分布層結(jié)構(gòu)包括：導(dǎo)電跡線和重分布層接觸墊，其中該重分布層接觸墊電性耦接至該導(dǎo)電跡線；其中，該重分布層接觸墊包括：對(duì)稱部分和連接至該對(duì)稱部分的延伸翼部分構(gòu)成；其中，第一距離不同于第二距離，該第一距離定義為該對(duì)稱部分的中心點(diǎn)與該對(duì)稱部分的邊界之間的距離，該第二距離定義為該對(duì)稱部分的中心點(diǎn)與該延伸翼部分的邊界之間的距離。

其中，該RDL結(jié)構(gòu)包括：第一區(qū)域和第二區(qū)域，其中該第二區(qū)域圍繞該第一區(qū)域，并且該第一區(qū)域用于半導(dǎo)體晶粒設(shè)置于其上。

其中，該對(duì)稱部分的形狀為：圓形、橢圓形或多邊形。

其中，第一方向定義為從該對(duì)稱部分的中心點(diǎn)至該第一區(qū)域的中心點(diǎn)，第二方向定義為從該對(duì)稱部分的中心點(diǎn)至該延伸翼部分的邊界的中心點(diǎn)；當(dāng)該RDL接觸墊設(shè)置在該第一區(qū)域中時(shí)，該第一方向和該第二方向之間的角度在順時(shí)針或逆時(shí)針?lè)较蛏辖橛?°～90°之間；或者，當(dāng)該RDL接觸墊設(shè)置在該第二區(qū)域中時(shí)，該第一方向和該第二方向之間的角度在順時(shí)針?lè)较蛏辖橛?0°～270°之間。

其中，該導(dǎo)電跡線包括：尾部，與該對(duì)稱部分重疊并且向該重分布接觸墊外延伸。

其中，第三方向定義為該導(dǎo)電跡線向該重分布接觸墊外延伸的方向，第四方向定義為從該對(duì)稱部分的中心點(diǎn)至該延伸翼部分的邊界的中心點(diǎn)；其中，該重分布接觸墊設(shè)置在該第一區(qū)域或第二區(qū)域內(nèi)時(shí)，該第三方向和第四方向之間的角度在順時(shí)針?lè)较蛏辖橛?5°～315°之間。

其中，該重分布層結(jié)構(gòu)包括：相對(duì)的第一表面和第二表面；該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括：模塑料，設(shè)置于該第一表面上并且圍繞該半導(dǎo)體晶粒，其中該模塑料接觸該第一表面位于該第二區(qū)域內(nèi)的部分和該半導(dǎo)體晶粒；以及導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該第二表面上并且接觸和電性連接至該重分布層接觸墊。

其中，當(dāng)從平面圖觀察時(shí)，該延伸翼部分與該對(duì)稱部分的邊界部分重疊

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括：重分布層結(jié)構(gòu)，其中該重分布層結(jié)構(gòu)包括：導(dǎo)電跡線和重分布層接觸墊，其中該重分布層接觸墊電性耦接至該導(dǎo)電跡線；其中，該重分布層接觸墊具有一弦，將該重分布層接觸墊劃分為第一部分和第二部分，其中該第一部分具有第一對(duì)對(duì)稱形狀的至少一半，該第二部分具有第二對(duì)稱形狀的至少一半，該第一對(duì)稱形狀不同于該第二對(duì)稱形狀。

其中，該重分布層結(jié)構(gòu)包括：第一區(qū)域和第二區(qū)域，其中該第二區(qū)域圍繞該第一區(qū)域，并且該第一區(qū)域用于半導(dǎo)體晶粒設(shè)置于其上。

其中，該第一部分由該弦與連接至該弦兩相對(duì)端的第一邊界部分圍繞；該第二部分由該弦與連接至該弦兩相對(duì)端的第二邊界部分圍繞。