[發明專利]一種旋轉結構的制備方法以及旋轉結構

有效

• 申請號: 202010054927.9
• 申請日: 2020-01-17
• 公開（公告）號: CN111232913B
• 公開（公告）日: 2020-12-18
• 發明（設計）人: 焦繼偉;劉京;費躍;陳思奇
• 申請（專利權）人: 上海芯物科技有限公司
• 主分類號: B81B3/00
• 分類號: B81B3/00;H01B7/02
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

1.一種旋轉結構的制備方法，其特征在于，包括：

采用濕法腐蝕工藝制備第一半導體結構，其中，所述第一半導體結構包括位于第一表面的第一斜坡凹槽，所述第一斜坡凹槽的斜坡面為（111）晶面，所述第一表面和第二表面相對設置；

采用濕法腐蝕工藝制備第一半導體結構包括：

提供硅襯底，所述第一表面和所述硅襯底的（111）晶面呈第一夾角；

在所述第一表面和所述第二表面生長第一氧化層；

去除所述第一表面一側的部分所述第一氧化層；

對所述第一表面進行濕法腐蝕，暴露出部分所述（111）晶面，得到所述第一斜坡凹槽，所述第一斜坡凹槽的斜坡面為（111）晶面；

去除所述第一表面上剩余的所述第一氧化層以及所述第二表面上的第一氧化層，得到第一半導體結構；制備第二半導體結構，其中，所述第二半導體結構包括獨立設置的第一半導體單元和第二半導體單元；

制備第二半導體結構包括：

提供襯底結構，所述襯底結構包括依次設置的襯底層、絕緣層以及半導體層，所述半導體層遠離所述絕緣層一側的表面和所述半導體層的（111）晶面呈第二夾角；

在所述半導體層遠離所述絕緣層一側的表面和所述襯底層遠離所述絕緣層一側的表面生長第二氧化層；

去除所述半導體層遠離所述絕緣層一側的表面的部分所述第二氧化層，暴露出部分所述半導體層遠離所述絕緣層一側的表面；

對所述半導體層遠離所述絕緣層一側的表面進行濕法腐蝕，暴露出部分所述（111）晶面，得到第二斜坡凹槽，所述第二斜坡凹槽的斜坡面為（111）晶面；

去除所述半導體層遠離所述絕緣層一側的表面和所述襯底層遠離所述絕緣層一側的第二氧化層；

沿第一預設位置，對所述半導體層進行刻蝕，形成獨立設置的第一連接部和第二連接部；

在所述半導體層遠離所述絕緣層一側的表面和所述襯底層遠離所述絕緣層一側的表面生長第三氧化層；

去除所述半導體層遠離所述絕緣層一側的表面的部分所述第三氧化層，暴露出所述第二斜坡凹槽的斜坡面，以及所述第二連接部中所述半導體層遠離所述絕緣層一側的部分表面，所述第一連接部以及所述第一連接部之上的所述第三氧化層構成所述第一半導體單元，所述第二連接部以及所述第二連接部之上的所述第三氧化層構成所述第二半導體單元；采用鍵合工藝，將所述第一半導體結構的第一表面設置在所述第一半導體單元和所述第二半導體單元之上；

在所述第一半導體結構的預設區域制備可旋轉單元；

在所述第一半導體結構背離所述第一表面側的表面制備上電極，在所述第二半導體結構上制備第一下電極和第二下電極，所述上電極與所述可旋轉單元電連接，所述第一下電極與所述第一半導體單元電連接，所述第二下電極與所述第二半導體單元電連接。

2.根據權利要求1所述的旋轉結構的制備方法，其特征在于，所述（111）晶面偏向（001）晶面為正角度，偏離（001）晶面為負角度，所述第一夾角滿足大于或等于-35.3°，且小于或等于0°，或者大于0°且小于或等于54.7°；所述第二夾角滿足大于或等于-35.3°，且小于或等于0°，或者大于0°且小于或等于54.7°；

所述第一斜坡凹槽的斜坡面的傾斜角為θ，其中θ大于0°，且小于或等于90°；所述第二斜坡凹槽的斜坡面的傾斜角為φ大于0°，且小于或等于90°；所述第一斜坡凹槽的斜坡面的傾斜角為所述第一斜坡凹槽的斜坡面與水平方向的夾角，所述第二斜坡凹槽的斜坡面的傾斜角為所述第二斜坡凹槽的斜坡面與水平方向的夾角。

3.根據權利要求1所述的旋轉結構的制備方法，其特征在于，采用鍵合工藝，將所述第一半導體結構的第二表面設置在所述第一半導體單元和所述第二半導體單元之上包括：

采用硅硅鍵合工藝，將所述硅襯底的第一表面位于所述半導體層遠離所述絕緣層一側的表面之上，其中，所述第二斜坡凹槽的斜坡面的脊線與所述第一斜坡凹槽的斜坡面的脊線平行，且所述第二斜坡凹槽的斜坡面與所述第一斜坡凹槽的斜坡面位于同一平面。