[發明專利]一種太陽能電池在審
| 申請號： | 202010054423.7 | 申請日： | 2020-01-17 |
| 公開（公告）號： | CN111146305A | 公開（公告）日： | 2020-05-12 |
| 發明（設計）人： | 吳真龍;張海林;張策;田宇 | 申請（專利權）人： | 揚州乾照光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0687 | 分類號： | H01L31/0687;H01L31/056;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 張靜 |
| 地址： | 225101*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 太陽能電池 | ||
1.一種太陽能電池，其特征在于，包括：
底電池；
位于所述底電池第一側的第一隧穿結層；
位于所述第一隧穿結層背離所述底電池一側的背反射層；
位于所述背反射層背離所述第一隧穿結層一側的中電池；
位于所述中電池背離所述底電池一側的第二隧穿結層；
位于所述第二隧穿結層背離所述中電池一側的頂電池，所述頂電池包括頂電池背場層、頂電池基區、頂電池發射區和頂電池窗口層；
其中，所述頂電池背場層包括層疊的第一背場層和第二背場層，所述第一背場層和所述第二背場層的帶隙高于所述頂電池基區的帶隙，所述第二背場層的P型摻雜濃度大于所述第一背場層和所述頂電池基區的P型摻雜濃度。
2.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述第一背場層為AlGaAs層。
3.根據權利要求2所述的太陽能電池，其特征在于，所述第一背場層為C摻雜的AlGaAs層。
4.根據權利要求3所述的太陽能電池，其特征在于，所述第一背場層的厚度取值范圍為10nm～50nm，包括端點值。
5.根據權利要求4所述的太陽能電池，其特征在于，所述第一背場層中Al組分與Al組分和Ga組分之和的比例取值范圍為0.3～0.8，包括端點值；所述第一背場層中的P型摻雜濃度取值范圍為1E18～5E19，包括端點值。
6.根據權利要求1～5任一項所述的太陽能電池，，其特征在于，所述第二背場層為AlGaInP層。
7.根據權利要求6所述的太陽能電池，其特征在于，所述第二背場層為Zn摻雜的AlGaInP層。
8.根據權利要求7所述的太陽能電池，其特征在于，所述第二背場層的厚度取值范圍為10nm～50nm，包括端點值。
9.根據權利要求7所述的太陽能電池，其特征在于，所述第二背場層中Al組分與Al組分和Ga組分之和的比例取值范圍為0.2～0.7，包括端點值。
10.根據權利要求7所述的太陽能電池，其特征在于，所述第二背場層中的P型摻雜濃度取值范圍為1E17～1E18，包括端點值。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
