[發明專利]用于沉積法鍍膜的設備及控制鍍膜厚度的系統和方法

有效

• 申請號: 202010054387.4
• 申請日: 2020-01-17
• 公開（公告）號: CN111254419B
• 公開（公告）日: 2021-12-28
• 發明（設計）人: 胥俊東
• 申請（專利權）人: 北京北方華創真空技術有限公司
• 主分類號: C23C16/52
• 分類號: C23C16/52;G01B7/06
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 吳歡燕

1.一種控制鍍膜厚度的系統，其特征在于，包括電容裝置、電容值測量模塊、控制器和設于鍍膜設備的沉積氣閥門；所述電容裝置設于所述鍍膜設備內并與所述電容值測量模塊相連，所述電容裝置用于將鍍膜厚度的變化轉換為電容值的變化；所述電容值測量模塊與所述控制器相連，所述電容值測量模塊用于測量所述電容裝置的電容值并將所述電容值發送給所述控制器，所述控制器用于將接收到的電容值與預設電容閾值比較，若接收到的電容值大于預設電容閾值，則控制所述沉積氣閥門停止向所述鍍膜設備內通入沉積氣；

所述電容裝置包括相間隔且相平行設置的兩個金屬片；所述金屬片可拆卸地設于所述鍍膜設備內；所述電容裝置還包括絕緣支架，所述金屬片設于所述絕緣支架，所述鍍膜設備的內側壁設有與所述絕緣支架相配合的固定插口。

2.根據權利要求1所述的控制鍍膜厚度的系統，其特征在于，所述控制器包括鍍膜厚度分析模塊，所述控制器與顯示模塊相連，所述鍍膜厚度分析模塊用于根據所述電容值計算鍍膜厚度，所述顯示模塊用于顯示所述鍍膜厚度。

3.根據權利要求1所述的控制鍍膜厚度的系統，其特征在于，所述絕緣支架由聚偏氟乙烯制成。

4.一種用于沉積法鍍膜的設備，其特征在于，包括權利要求1至3中任一項所述的控制鍍膜厚度的系統。

5.一種控制鍍膜厚度的方法，其特征在于，使用如權利要求1至權利要求3中任一項的系統來控制沉積法鍍膜工藝的鍍膜厚度，包括：

控制沉積氣閥門向鍍膜設備中通入沉積氣；

接收電容值測量電路測得的電容值；

將接收到的電容值與預設電容閾值比較，若接收到的電容值大于預設電容閾值，則控制鍍膜設備停止向鍍膜槽內通入沉積氣。

6.一種控制鍍膜厚度的方法，其特征在于，使用如權利要求2至權利要求3中任一項的系統來控制沉積法鍍膜工藝的鍍膜厚度，包括：

控制沉積氣閥門向鍍膜設備中通入沉積氣；

接收電容值測量電路測得的電容值；

將接收到的電容值與預設電容閾值比較，若接收到的電容值大于預設電容閾值，則控制鍍膜設備停止向鍍膜槽內通入沉積氣；

根據電容值與鍍膜厚度的關系公式確定鍍膜厚度；

控制顯示模塊顯示所述鍍膜厚度。

7.根據權利要求6所述的控制鍍膜厚度的方法，其特征在于，所述電容值與鍍膜厚度的關系公式為：

其中，h₂是鍍膜厚度，S為平行板電容裝置兩個極板的正對面積，C₁為初始電容值，C₂為電容值測量電路測得的電容值，ε為真空絕對介電常數，ε′為沉積氣的絕對介電常數。