[發明專利]一種旋轉結構的制備方法以及旋轉結構

有效

• 申請號: 202010052774.4
• 申請日: 2020-01-17
• 公開（公告）號: CN111217322B
• 公開（公告）日: 2021-02-09
• 發明（設計）人: 焦繼偉;劉京;費躍;陳思奇
• 申請（專利權）人: 上海芯物科技有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;B81C3/00;B81B5/00
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

1.一種旋轉結構的制備方法，其特征在于，包括：

采用濕法腐蝕工藝制備第一半導體結構，其中，所述第一半導體結構包括位于第一表面的第一斜坡凹槽和位于第二表面的第二斜坡凹槽；所述第一斜坡凹槽的斜坡面和所述第二斜坡凹槽的斜坡面均為(111)晶面，所述第一表面和第二表面相對設置；

制備第二半導體結構，所述第二半導體結構包括獨立設置的第一下電極連接單元和第二下電極連接單元；

采用鍵合工藝，將所述第一半導體結構的第二表面設置在所述第二半導體結構的獨立設置的所述第一下電極連接單元和所述第二下電極連接單元之上；

在所述第一半導體結構的預設區域制備可旋轉單元，包括：沿所述第一斜坡凹槽的脊線所在的直線和所述第二斜坡凹槽的脊線所在的直線對所述第一表面進行深硅刻蝕，直至貫穿所述第二表面，以及沿預設區域對所述第一表面以及所述第一斜坡凹槽的斜坡面進行減薄，得到所述可旋轉單元，所述預設區域覆蓋所述第一斜坡凹槽和所述第二斜坡凹槽；

在所述第一半導體結構的第一表面側制備上電極、第一下電極和第二下電極，所述上電極與所述可旋轉單元電連接，所述第一下電極與所述第一下電極連接單元電連接，所述第二下電極與所述第二下電極連接單元電連接。

2.根據權利要求1所述的旋轉結構的制備方法，其特征在于，采用濕法腐蝕工藝制備第一半導體結構包括：

提供第一硅襯底，所述第一硅襯底包括相對設置的所述第一表面和所述第二表面，所述第一表面和所述第一硅襯底的(111)晶面呈第一夾角，所述第二表面與所述第一硅襯底的(111)晶面呈第二夾角；

在所述第一表面和所述第二表面生長第一氧化層；

分別去除所述第一表面一側的部分所述第一氧化層以及所述第二表面一側的部分所述第一氧化層，暴露出部分所述第一表面和部分所述第二表面；

對所述第一表面和所述第二表面進行濕法腐蝕，分別暴露出部分所述(111)晶面，得到所述第一斜坡凹槽和所述第二斜坡凹槽，所述第一斜坡凹槽的斜坡面和所述第二斜坡凹槽的斜坡面均為(111)晶面；

去除所述第一表面上剩余的所述第一氧化層以及所述第二表面上的第一氧化層；

在所述第一表面、所述第一表面側的第一斜坡凹槽的斜坡面、所述第二表面以及所述第二表面側的第二斜坡凹槽的斜坡面生長第二氧化層；

去除所述預設區域內，所述第二表面側的第二氧化層；

在所述第二氧化層遠離所述第二表面一側的表面制備鍵合層，得到第一半導體結構。

3.根據權利要求2所述的旋轉結構的制備方法，其特征在于，制備第二半導體結構包括：

提供第二硅襯底，所述第二硅襯底包括相對設置的第三表面和與所述第三表面相對設置的第四表面，所述第三表面和所述第二硅襯底的(111)晶面呈第三夾角；

在所述第三表面和所述第四表面生長第三氧化層；

去除所述第三表面一側的部分所述第三氧化層；

對所述第三表面進行濕法腐蝕，暴露出部分所述(111)晶面，得到第三斜坡凹槽，所述第三斜坡凹槽的斜坡面為(111)晶面；

除去所述第三表面上剩余的所述第三氧化層以及所述第四表面上的第三氧化層；

在所述第三表面、所述第三斜坡凹槽的斜坡面所以及所述第四表面生長第四氧化層；

在所述第三斜坡凹槽的斜坡面以及所述第三斜坡凹槽的第一側的第三表面制備第一電極連接層，在所述第三斜坡凹槽的第二側的第三表面制備第二電極連接層，所述第三斜坡凹槽位于第三斜坡凹槽的第一側的第三表面與所述第三斜坡凹槽的第二側的第三表面之間，所述第一電極連接層與所述第二電極連接層絕緣設置，得到第二半導體結構。