[發明專利]半導體器件及其制備方法

在審

• 申請號: 202010052772.5
• 申請日: 2020-01-17
• 公開（公告）號: CN113140501A
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發明（設計）人: 吳秉桓
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/48
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 史治法

1.一種半導體器件的制備方法，其特征在于，包括：

提供第一介質層；

于所述第一介質層內形成第一窗口；

于所述第一窗口內形成第一連通結構；

于所述第一介質層上形成第二介質層，所述第二介質層具有第二窗口，所述第二窗口至少顯露部分所述第一連通結構；

于所述第二窗口的側壁及底部形成第一阻擋層，所述第一阻擋層包括開口，所述開口顯露所述第一連通結構；

于所述第二窗口內形成第二連通結構。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述第一連通結構包括起邊，所述起邊形成于所述第一連通結構與所述第一介質層的交界處，以使所述第一阻擋層包括所述開口。

3.根據權利要求2所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，至少所述第一窗口上部的側壁為傾斜側壁，以使所述第一連通結構與所述第一介質層的交界處包括起邊。

4.根據權利要求3所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述第一窗口的形狀包括漏斗狀。

5.根據權利要求3所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，于所述第一介質層內形成所述第一窗口包括：

于所述第一介質層內形成通孔；

于所述通孔內填充第一連通材料層；

刻蝕工藝去除部分所述第一連通材料層和部分所述第一介質層，以形成所述第一窗口。

6.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，于所述第一介質層內形成所述第一窗口之前還包括：于所述第一介質層的表面形成第二阻擋層，所述第二阻擋層的上表面低于所述第一連通結構的頂部。

7.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述開口的形狀包括環狀，所述開口位于所述第一連通結構與所述第一介質層的交界處。

8.一種半導體器件，其特征在于，包括：

第一介質層，所述第一介質層內具有第一窗口；

第一連通結構，位于所述第一窗口內；

第二介質層，位于所述第一介質層上，所述第二介質層具有第二窗口，所述第二窗口至少顯露部分所述第一連通結構；

第一阻擋層，位于所述第二窗口的側壁及底部，所述第一阻擋層包括開口，所述開口顯露所述第一連通結構；

第二連通結構，位于所述第二窗口內。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，所述第一連通結構包括起邊，所述起邊位于所述第一連通結構與所述第一介質層的交界處，以使所述第一阻擋層包括所述開口。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，其特征在于，至少所述第一窗口上部的側壁為傾斜側壁，以使所述第一連通結構與所述第一介質層的交界處包括起邊。

11.根據權利要求10所述的半導體器件，其特征在于，所述第一窗口的形狀包括漏斗狀，所述開口的形狀包括環狀，所述開口位于所述第一連通結構與所述第一介質層的交界處。

12.根據權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，還包括：第二阻擋層，位于所述第一介質層的表面，所述第二阻擋層的上表面低于所述第一連通結構的頂部；所述第一窗口貫穿所述第二阻擋層和所述第一介質層。

13.根據權利要求12所述的半導體器件，其特征在于，所述第一連通結構與所述第二阻擋層具有重疊部分。

14.根據權利要求12所述的半導體器件，其特征在于，所述第一阻擋層位于所述第一連通結構的上表面、所述第二窗口底部的部分所述第二阻擋層的上表面和所述第二窗口的側壁，所述第一連通結構上表面的所述第一阻擋層的底部高于所述第二阻擋層上表面的所述第一阻擋層的頂部。