[發(fā)明專利]一種SiO2 在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010052154.0 | 申請日： | 2020-01-17 |
| 公開（公告）號： | CN111136282A | 公開（公告）日： | 2020-05-12 |
| 發(fā)明（設計）人： | 韓新月;黃菊;趙曉波;孫耀 | 申請（專利權）人： | 江蘇大學 |
| 主分類號： | B22F9/24 | 分類號： | B22F9/24;B22F1/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 212013 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 sio base sub | ||
1.一種SiO2包覆Ag納米顆粒的方法，其特征在于，包括如下步驟：
制備Ag納米流體：制備無水葡萄糖、檸檬酸三鈉、聚乙烯吡咯烷酮和去離子水的混合溶液A；將混合溶液A攪拌加熱后，加入銀氨溶液，制得Ag納米流體，所述Ag納米流體中含有Ag納米顆粒；
制備Ag@SiO2納米顆粒：將Ag納米流體與無水乙醇混合后，得到混合溶液B；通過催化劑將混合溶液B的pH值調(diào)節(jié)為堿性；在堿性的混合溶液B中加入正硅酸乙酯，制得Ag@SiO2納米流體，通過離心洗滌，得到Ag@SiO2納米顆粒。
2.根據(jù)權利要求1所述的SiO2包覆Ag納米顆粒的方法，其特征在于，所述混合溶液A中，檸檬酸三鈉、無水葡萄糖、聚乙烯吡咯烷酮和去離子水的質(zhì)量比為3:50:500:50000。
3.根據(jù)權利要求1所述的SiO2包覆Ag納米顆粒的方法，其特征在于，所述Ag納米流體中Ag納米顆粒的濃度為127～318ppm。
4.根據(jù)權利要求1所述的SiO2包覆Ag納米顆粒的方法，其特征在于，制得Ag納米流體具體為：將混合溶液A通過控溫磁力加熱攪拌器，攪拌加熱至85℃，滴加銀氨溶液，保持85℃加熱30-50min，制得Ag納米流體。
5.根據(jù)權利要求1所述的SiO2包覆Ag納米顆粒的方法，其特征在于，所述無水乙醇與Ag納米流體的體積比為2或4。
6.根據(jù)權利要求1所述的SiO2包覆Ag納米顆粒的方法，其特征在于，所述正硅酸乙酯的濃度為0.3586mM-6.4555mM。
7.根據(jù)權利要求1所述的SiO2包覆Ag納米顆粒的方法，其特征在于，所述催化劑為二甲胺水溶液；通過二甲胺水溶液將混合溶液B的pH值調(diào)節(jié)為9-11。
8.根據(jù)權利要求1所述的SiO2包覆Ag納米顆粒的方法，其特征在于，在堿性的混合溶液B中加入正硅酸乙酯后，常溫下攪拌2-12h。
9.一種SiO2包覆Ag納米顆粒，其特征在于，利用權利要求1-8任一項所述的SiO2包覆Ag納米顆粒的方法制備的Ag納米顆粒，所述SiO2殼厚為20～40nm，用于在600-800nm波段內(nèi)的光譜透過率穩(wěn)定。
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