[發(fā)明專利]一種高速率TOF結(jié)構(gòu)及制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010050852.7
• 申請日: 2020-01-17
• 公開（公告）號: CN110867724B
• 公開（公告）日: 2020-07-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 封飛飛
• 申請（專利權(quán)）人: 常州縱慧芯光半導(dǎo)體科技有限公司
• 主分類號: H01S5/022
• 分類號: H01S5/022;H01S5/024
• 代理公司: 北京中知法苑知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11226
• 代理人: 閻冬

1.一種高速率TOF結(jié)構(gòu)，其特征在于，其包括：

PCB板，其設(shè)有多個通孔，所述通孔內(nèi)設(shè)置銅介質(zhì)散熱體；

VCSEL激光器芯片，其設(shè)置在所述銅介質(zhì)散熱體上；

驅(qū)動芯片，其設(shè)在所述PCB板上且鄰近所述VCSEL激光器芯片，所述驅(qū)動芯片經(jīng)由金線連接所述VCSEL激光器芯片；

支撐保持件在所述VCSEL激光器芯片上方形成容納區(qū)域；

光斑勻化片經(jīng)由UV膠水和黑膠，或者用熱固化膠水貼到支撐保持件以固定在容納區(qū)域并處于VCSEL激光器芯片上方；

所述通孔的直徑小于VCSEL激光器芯片的最短邊尺寸的一半。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高速率TOF結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述高速率TOF結(jié)構(gòu)還包括：

支撐保持件，其設(shè)置于所述PCB板上，所述支撐保持件在所述VCSEL激光器芯片上方形成容納區(qū)域；

光斑勻化片，其固定在所述容納區(qū)域并處于所述VCSEL激光器芯片上方。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高速率TOF結(jié)構(gòu)，其特征在于：VCSEL激光器芯片經(jīng)由銀漿貼附在所述銅介質(zhì)散熱體上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高速率TOF結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述金線長度小于金線連接VCSEL激光器芯片的位置處到驅(qū)動芯片與VCSEL激光器芯片鄰近的邊緣之間距離的四倍。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高速率TOF結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述高速率TOF結(jié)構(gòu)還包括光探測芯片，鄰近VCSEL激光器芯片的所述光探測芯片經(jīng)由銀漿貼在所述PCB板上，VCSEL激光器芯片、驅(qū)動芯片和光探測芯片相互電性連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高速率TOF結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述PCB板經(jīng)由塑料或FR4或M6制成，VCSEL激光器芯片經(jīng)由GaAs/AlGaAs多量子阱材料制成，驅(qū)動芯片采用硅材料或者GaAs半導(dǎo)體材料制成，支撐保持件經(jīng)由塑料或氮化鋁或氧化鋁陶瓷制成，光斑勻化片采用玻璃材料制成。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高速率TOF結(jié)構(gòu)，其特征在于：光探測芯片采用硅材料或者化合物半導(dǎo)體材料制成，所述化合物半導(dǎo)體材料為GaAs或InP。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高速率TOF結(jié)構(gòu)，其特征在于：支撐保持件經(jīng)由UV膠水和黑膠貼在PCB板上，光斑勻化片經(jīng)由UV膠水和黑膠，或者熱固化膠水貼到支撐保持件以固定在所述容納區(qū)域。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高速率TOF結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述銅介質(zhì)散熱體被灌注在所述通孔中。

10.一種如權(quán)利要求1-9中任一項所述的高速率TOF結(jié)構(gòu)的制作方法，其包括以下步驟：

設(shè)置多個通孔于PCB板上，所述通孔內(nèi)灌注銅介質(zhì)散熱體，VCSEL激光器芯片經(jīng)由銀漿貼在所述銅介質(zhì)散熱體上；

驅(qū)動芯片鄰近所述VCSEL激光器芯片設(shè)在所述PCB板上，所述驅(qū)動芯片經(jīng)由金線連接所述VCSEL激光器芯片；

支撐保持件經(jīng)由UV膠水和黑膠，或者用熱固化膠水貼在PCB板上，所述支撐保持件在所述VCSEL激光器芯片上方形成容納區(qū)域；

光斑勻化片經(jīng)由UV膠水和黑膠，或者用熱固化膠水貼到支撐保持件以固定在所述容納區(qū)域并處于所述VCSEL激光器芯片上方。