[發(fā)明專利]一種基于表面等離子激元的多頻太赫茲超材料吸收器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010050510.5 | 申請日： | 2020-01-14 |
| 公開（公告）號： | CN111239865B | 公開（公告）日： | 2022-02-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王玥;崔子健;岳莉莎;張曉菊 | 申請（專利權(quán)）人： | 西安理工大學(xué) |
| 主分類號： | G02B5/00 | 分類號： | G02B5/00 |
| 代理公司： | 北京國昊天誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11315 | 代理人： | 楊洲 |
| 地址： | 710048*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 基于 表面 等離子 多頻太 赫茲 材料 吸收 | ||
1.一種基于表面等離子激元的多頻太赫茲超材料吸收器，該吸收器由吸收器單元陣列組成，吸收器單元包括頂層設(shè)計金屬圖樣層、聚酰亞胺介質(zhì)層和底部金屬背板層，其特征在于，頂層設(shè)計金屬圖樣層采用雙開口環(huán)圖樣正交工字圖樣的結(jié)構(gòu)，分別用來提供基礎(chǔ)的LC共振模式吸收和偶極子共振模式吸收，吸收器單元結(jié)構(gòu)周期為頂層設(shè)計金屬圖樣橫向尺寸的2～3倍。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于表面等離子激元的多頻太赫茲超材料吸收器，其特征在于，所述的頂層設(shè)計金屬圖樣層和底部金屬背板層采用金、鉻雙層金屬復(fù)合結(jié)構(gòu)，所述頂層設(shè)計金屬圖樣層厚度為150～200nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于表面等離子激元的多頻太赫茲超材料吸收器，其特征在于，所述頂層設(shè)計金屬圖樣層中雙開口環(huán)圖樣的橫向尺寸為工字圖樣橫向尺寸的0.85～1.5倍。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于表面等離子激元的多頻太赫茲超材料吸收器，其特征在于，所述工字圖樣高度H為40μm～60μm，寬度W為40μm～60μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于表面等離子激元的多頻太赫茲超材料吸收器，其特征在于，所述雙開口環(huán)圖樣寬度w為40μm～60μm，高度h為所述工字圖樣高度的0.4～0.6倍。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于表面等離子激元的多頻太赫茲超材料吸收器，其特征在于，所述雙開口環(huán)圖樣的開口尺寸g為5μm～w/2μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種基于表面等離子激元的多頻太赫茲超材料吸收器，其特征在于，所述聚酰亞胺介質(zhì)層厚度為6～12μm，介電常數(shù)為2.8～3.5。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于西安理工大學(xué)，未經(jīng)西安理工大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010050510.5/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
