[發(fā)明專(zhuān)利]顯示裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010050441.8
• 申請(qǐng)日: 2020-01-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111509004A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-08-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宋尚駿;南正植;宋赫中
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/32
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/32
• 代理公司: 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 王東賢;王珍仙

1.一種顯示裝置，包括：

基板，所述基板包括顯示區(qū)、外圍區(qū)、焊盤(pán)區(qū)以及設(shè)置在所述顯示區(qū)和所述焊盤(pán)區(qū)之間的彎曲區(qū)，其中所述外圍區(qū)設(shè)置在所述顯示區(qū)的外側(cè)，并且所述焊盤(pán)區(qū)設(shè)置在所述外圍區(qū)中；

位于所述基板上并且在所述彎曲區(qū)中的多個(gè)金屬布線(xiàn)；

堆疊在所述彎曲區(qū)中的所述多個(gè)金屬布線(xiàn)上的第一有機(jī)絕緣層和第二有機(jī)絕緣層；以及

設(shè)置在所述第一有機(jī)絕緣層和所述第二有機(jī)絕緣層之間的第一虛設(shè)金屬圖案。

2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中薄膜晶體管和電連接到所述薄膜晶體管的發(fā)光裝置位于所述基板的所述顯示區(qū)中，并且所述第一有機(jī)絕緣層位于所述顯示區(qū)中的所述薄膜晶體管和所述發(fā)光裝置之間。

3.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中所述薄膜晶體管包括有源層、柵電極、源電極和漏電極，并且所述多個(gè)金屬布線(xiàn)包括與所述源電極和所述漏電極相同的材料。

4.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中所述發(fā)光裝置包括電連接到所述薄膜晶體管的像素電極、設(shè)置在所述像素電極上的公共電極以及設(shè)置在所述像素電極和所述公共電極之間的中間層，并且其中所述第一虛設(shè)金屬圖案包括與所述像素電極相同的材料。

5.如權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中所述像素電極具有堆疊結(jié)構(gòu)，所述堆疊結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層和第三導(dǎo)電層，其中所述第一導(dǎo)電層包括透明或半透明的電極層，

其中所述第二導(dǎo)電層包括銀，

其中所述第三導(dǎo)電層包括透明或半透明的電極層，并且

其中所述第一虛設(shè)金屬圖案包括與所述第二導(dǎo)電層相同的材料。

6.如權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中在所述顯示區(qū)中，所述第二有機(jī)絕緣層包括覆蓋所述像素電極的邊緣并暴露所述像素電極的中心部分的開(kāi)口，并且其中所述中間層位于所述開(kāi)口中的所述像素電極上。

7.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，進(jìn)一步包括設(shè)置在所述第二有機(jī)絕緣層上的彎曲保護(hù)層，其中所述彎曲保護(hù)層在所述彎曲區(qū)中為所述多個(gè)金屬布線(xiàn)提供應(yīng)力中性面。

8.如權(quán)利要求7所述的顯示裝置，進(jìn)一步包括設(shè)置在所述第二有機(jī)絕緣層和所述彎曲保護(hù)層之間的第二虛設(shè)金屬圖案。

9.如權(quán)利要求7所述的顯示裝置，進(jìn)一步包括設(shè)置在所述彎曲保護(hù)層上的第三虛設(shè)金屬圖案。

10.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述第一虛設(shè)金屬圖案沿著所述彎曲區(qū)延伸且包括多個(gè)孔。

11.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中無(wú)機(jī)絕緣層堆疊在所述基板的所述顯示區(qū)和所述外圍區(qū)上，并且

所述彎曲區(qū)包括開(kāi)口區(qū)和位于所述開(kāi)口區(qū)中的包括有機(jī)材料的虛設(shè)絕緣圖案，其中所述開(kāi)口區(qū)暴露所述基板的頂部表面。

12.如權(quán)利要求11所述的顯示裝置，其中所述多個(gè)金屬布線(xiàn)位于所述虛設(shè)絕緣圖案上。