[發明專利]圖像傳感器的抗彌散方法及圖像傳感器在審
| 申請號： | 202010050174.4 | 申請日： | 2020-01-16 |
| 公開（公告）號： | CN111246134A | 公開（公告）日： | 2020-06-05 |
| 發明（設計）人： | 王林;黃金德;胡萬景 | 申請（專利權）人： | 銳芯微電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H04N5/374 | 分類號： | H04N5/374;H04N5/372;H04N5/361;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 吳敏 |
| 地址： | 215300 江蘇省蘇州市昆山市昆山*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 圖像傳感器 彌散 方法 | ||
1.一種圖像傳感器的抗彌散方法，適用于CMOS圖像傳感器，所述CMOS圖像傳感器的每個像素單元包括N型晶體管，所述N型晶體管包括柵極和漏極，所述漏極包括第一電極和第二電極；
其特征在于，所述抗彌散方法包括：
在所述N型晶體管的漏極上施加第一抗彌散信號，所述第一抗彌散信號為高電平；
在所述N型晶體管的第一電極上施加第二抗彌散信號，在圖像的曝光與轉移期間內，所述第二抗彌散信號為周期性信號；
其中，在所述第二抗彌散信號的一個周期內，所述第二抗彌散信號在第一時間段內為第一電平，在第二時間段內為第二電平，所述第二抗彌散信號的周期小于所述曝光與轉移期間。
2.根據權利要求1所述的抗彌散方法，其特征在于，所述圖像的曝光與轉移期間包括：
兩個相鄰的采樣電平之間的間隔期間。
3.根據權利要求1所述的抗彌散方法，其特征在于，所述第一電平為高電平，所述第二電平為低電平。
4.根據權利要求1所述的抗彌散方法，其特征在于，所述第一電平為低電平，所述第二電平為高電平。
5.根據權利要求1所述的抗彌散方法，其特征在于，所述第一時間段與所述第二時間段的時長是可調的。
6.一種圖像傳感器，所述圖像傳感器的每個像素單元包括N型晶體管，所述N型晶體管包括柵極和漏極；所述柵極包括第一電極與第二電極；所述第一電極上適于施加第一抗彌散信號，所述漏極上適于施加第二抗彌散信號；其特征在于，所述圖像傳感器還包括：
第一抗彌散信號生成裝置，適于向所述N型晶體管的漏極輸出第一抗彌散信號，所述第一抗彌散信號為高電平；
第二抗彌散信號生成裝置，適于向所述N型晶體管的第一電極輸出第二抗彌散信號，在圖像的曝光與轉移期間內，所述第二抗彌散信號為周期性信號；其中，在所述第二抗彌散信號的一個周期內，所述第二抗彌散信號在第一時間段內為第一電平，在第二時間段內為第二電平，，所述第二抗彌散信號的周期小于所述曝光與轉移期間。
7.根據權利要求6所述的抗彌散裝置，其特征在于，所述圖像的曝光與轉移期間包括：
兩個相鄰的采樣電平之間的間隔期間。
8.根據權利要求6所述的抗彌散裝置，其特征在于，所述第一電平為高電平，所述第二電平為低電平。
9.根據權利要求6所述的抗彌散裝置，其特征在于，所述第一電平為低電平，所述第二電平為高電平。
10.根據權利要求6所述的抗彌散裝置，其特征在于，所述第一時間段與所述第二時間段的時長是可調的。
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