[發(fā)明專利]一種多相H橋高功率密度變頻器功率模塊

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010049098.5
• 申請(qǐng)日: 2020-01-16
• 公開（公告）號(hào): CN111211699B
• 公開（公告）日: 2021-11-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 汪正煒;汪勇;趙凱;江峰;尹傳濤
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢船用電力推進(jìn)裝置研究所（中國(guó)船舶重工集團(tuán)公司第七一二研究所）
• 主分類號(hào): H02M7/00
• 分類號(hào): H02M7/00;H02M7/5387;H05K7/20
• 代理公司: 武漢凌達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(特殊普通合伙) 42221
• 代理人: 劉念濤;宋國(guó)榮

1.一種多相H橋高功率密度變頻器功率模塊，其特征在于：包括主體框架（1）、設(shè)置在主體框架（1）內(nèi)的2N（N≥3）個(gè)單相H橋功率單元（3.4）和N個(gè)支撐電容組件（3.1），每對(duì)H橋功率單元（3.4）和一個(gè)支撐電容組件（3.1）構(gòu)成一層通過通長(zhǎng)滑槽設(shè)置在主體框架（1）內(nèi)，所述的H橋功率單元（3.4）采用IGBT（3.4.2）作為主功率器件，與驅(qū)動(dòng)電路板組裝在封裝框架（3.4.6）上，每層的兩個(gè)IGBT（3.4.2）均固定在水冷底板（3.4.1）上，所述的支撐電容組件（3.1）由陣列式排布的多個(gè)圓筒型薄膜鋁電容通過電容框架（3.5）拼裝成一個(gè)整體，支撐電容組件（3.1）和H橋功率單元（3.4）通過疊層母排（3.2）并聯(lián)在一起，疊層母排（3.2）兩側(cè)連接直流輸入母排（4），所述的直流輸入母排（4）設(shè)置在主體框架（1）側(cè)面同時(shí)為N層H橋功率單元（3.4）供電，主體框架（1）左右兩側(cè)分布有交流輸出銅排（5），主體框架（1）前部設(shè)置有冷卻主管路（6），冷卻主管路（6）引出的冷卻支路管路（2）分布在H橋功率單元（3.4）前部，緊貼主體框架（1）前壁， 端部通過卡套接頭（3.4.8）連通水冷底板（3.4.1）；所述的電容框架（3.5）上下側(cè)分別設(shè)置有軌道，以卡入對(duì)應(yīng)的通長(zhǎng)滑槽，電容框架（3.5）背部設(shè)置多個(gè)方軸，以插入主體框架（1）后部的方孔實(shí)現(xiàn)定位；所述的疊層母排（3.2）通過螺釘固定在支撐電容組件（3.1）的正負(fù)極柱上，疊層母排（3.2）上裝有一對(duì)電器快插插頭（3.3），所述的水冷底板（3.4.1）后部設(shè)置有與電器快插插頭（3.3）對(duì)應(yīng)的電器快插插座（3.4.5），實(shí)現(xiàn)H橋功率單元（3.4）和疊層母排（3.2）快速連接和分離；所述的疊層母排（3.2）兩側(cè)伸出電氣接口，直流輸入母排（4）通過轉(zhuǎn)接銅排與疊層母排（3.2）電氣接口連接；所述水冷底板（3.4.1）兩側(cè)的軌道接卡入封裝框架（3.4.6）的內(nèi)軌道，以實(shí)現(xiàn)H橋功率單元（3.4）的整體插入或拔出；所述的水冷底板（3.4.1）前部設(shè)置冷卻水的進(jìn)出口，用于連接左右兩側(cè)的進(jìn)出水總管，水冷底板（3.4.1）前部還設(shè)置有拉手（3.4.9）、航空插頭（3.4.7）和光纖插頭；所述的H橋功率單元（3.4）由兩件IGBT（3.4.2）、兩件硬質(zhì)板（3.4.3）、一塊水冷底板（3.4.1）及其附件構(gòu)成，兩件IGBT（3.4.2）并列安裝在水冷底板（3.4.1）上。