[發明專利]一種封裝基板制造工藝

在審

• 申請號: 202010048410.9
• 申請日: 2020-01-16
• 公開（公告）號: CN111244028A
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發明（設計）人: 康孝恒;蔡克林;唐波;楊飛;李瑞;許凱;蔣樂元
• 申請（專利權）人: 深圳市志金電子有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 廣州市越秀區哲力專利商標事務所(普通合伙) 44288
• 代理人: 陳欽澤

1.一種封裝基板制造工藝，用于制造供芯片封裝的封裝基板，其特征在于，所述封裝基板制造工藝包括：

提供第一導電片、絕緣件及第二導電基片，所述第一導電片包括第一導電基片和位于所述第一導電基片一側的導電凸起，所述絕緣件的一側凹設有凹腔，將所述第一導電片和所述絕緣件以所述導電凸起與所述凹腔相對的方式進行層疊壓合，并使所述導電凸起收容于所述凹腔中，將所述第二導電基片層疊壓合于所述絕緣件遠離所述第一導電片的一側，制得母材；

在所述母材上制作穿孔，所述穿孔依次貫穿所述第一導電基片、所述絕緣件以及所述第二導電基片；

對所述母材進行加工以除去所述導電凸起和所述第一導電基片與所述導電凸起正對的部位，以形成用于供芯片安裝的收容腔；

對所述第一導電基片進行加工以形成焊盤，對所述第二導電基片進行加工以形成線路，在所述穿孔中電鍍導電材料以形成用于連接所述焊盤和所述線路的導通孔，制得封裝基板半成品；

對所述封裝基板半成品進行切割，制得封裝基板。

2.根據權利要求1所述的封裝基板制造工藝，其特征在于，除去所述導電凸起和所述第一導電基片與所述導電凸起正對的部位包括以下步驟：

在所述第一導電基片遠離所述導電凸起的一側和所述第二導電片遠離所述絕緣件的一側貼設第一感光膜，對應所述導電凸起的位置對貼設于所述第一導電基片的所述第一感光膜進行曝光顯影以形成蝕刻孔；

通過所述蝕刻孔對所述母材進行蝕刻，除去所述導電凸起和所述第一導電基片與所述導電凸起正對的部位，以得到所述收容腔，除去所述第一感光膜。

3.根據權利要求1所述的封裝基板制造工藝，其特征在于，所述第一導電片由以下工序制作成型：

提供具有上表面和下表面的所述第一導電基片，在所述上表面和所述下表面上貼設第二感光膜，對貼設于所述下表面的所述第二感光膜進行曝光顯影以形成第一電鍍避讓區域；

在所述第一電鍍避讓區域內電鍍銅層，電鍍銅層之后，除去所述第二感光膜，制得所述第一導電片，其中，所述銅層形成所述導電凸起，且所述銅層的厚度與所述第二感光膜的厚度相同。

4.根據權利要求1所述的封裝基板制造工藝，其特征在于，

所述第一導電基片為銅片；且/或，

所述第二導電基片為銅片。

5.根據權利要求1所述的封裝基板制造工藝，其特征在于，所述絕緣件為半固化片，所述半固化片的厚度為50μm-200μm。

6.根據權利要求2所述的封裝基板制造工藝，其特征在于，所述焊盤和所述線路由以下工序制作成型：

在蝕刻后的所述第一導電基片遠離所述絕緣件的一側和第二基片遠離所述絕緣件的一側貼設第三感光膜，對應所述焊盤的位置對貼設于所述第一導電基片的所述第三感光膜進行曝光顯影以形成第二電鍍避讓區域，對應所述線路的位置對貼設于所述第二導電基片的所述第三感光膜進行曝光顯影以形成第三電鍍避讓區域；

在所述第二電鍍避讓區域和所述第三電鍍避讓區域內都電鍍錫層，電鍍錫層之后，除去所述第三感光膜；

對除去所述第三感光膜的所述第一導電基片和所述第二導電基片進行蝕刻，得到所述焊盤和所述線路后，除去所述錫層。

7.根據權利要求1所述的封裝基板制造工藝，其特征在于，在制作所述穿孔之前，所述封裝基板制作工藝還包括：

將所述第一導電基片的厚度減薄至10μm-20μm。

8.根據權利要求1所述的封裝基板制造工藝，其特征在于，制得所述焊盤和所述線路后，所述封裝基板制造工藝還包括：

在所述導通孔的孔壁上覆蓋絕緣材料。

9.根據權利要求8所述的封裝基板制造工藝，其特征在于，在所述導通孔的孔壁上覆蓋絕緣材料后，所述封裝基板制造工藝還包括：

在所述焊盤和所述線路的外表面電鍍保護層。

10.根據權利要求9所述的封裝基板制造工藝，其特征在于，所述保護層為鎳層、或者鎳銀層、或者鎳金層、或者鎳銀金層、或者鎳鈀金層、或者有機保焊膜。