[發(fā)明專利]一種芯片電阻器及其制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010048204.8 | 申請日： | 2020-01-16 |
| 公開（公告）號： | CN111192731A | 公開（公告）日： | 2020-05-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 蔡東謀;簡高柏;趙瑋瑋;張琦 | 申請（專利權(quán)）人： | 國巨電子（中國）有限公司 |
| 主分類號： | H01C7/00 | 分類號： | H01C7/00;H01C1/14;H01C17/06;H01C17/232;H01C17/24 |
| 代理公司： | 蘇州簡理知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32371 | 代理人： | 楊瑞玲;朱亦倩 |
| 地址： | 215011 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 芯片 電阻器 及其 制作方法 | ||
1.一種芯片電阻器，其特征在于，包括基板(01)、電極、電阻層(04)、保護(hù)層和鍍層；
所述基板(01)具有相對設(shè)置的上表面和下表面，所述電極分別設(shè)置在所述上表面和下表面上，所述電阻層(04)在所述上表面上與所述電極搭接，所述保護(hù)層附著在所述電阻層(04)上，
所述基板(01)還包括兩相對設(shè)置的側(cè)端面，所述電極分別設(shè)置在所述側(cè)端面上，設(shè)置在所述基板(01)的側(cè)端面上的電極的表面上鍍有鍍層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片電阻器，其特征在于，所述基板(01)為薄板，所述電極包括正面電極(02)、背面電極(03)和側(cè)面電極(07)，
所述正面電極(02)包括兩個，其分別設(shè)置在所述上表面上且分別靠近所述基板(01)的側(cè)端面；
所述背面電極(03)包括兩個，其分別設(shè)置在所述下表面上且分別靠近所述基板(01)的側(cè)端面；
所述側(cè)面電極(07)包括兩個，其分別附著在所述基板(01)的側(cè)端面上，且均部分附著在所述上表面和下表面上，所述側(cè)面電極(07)搭接在所述背面電極(03)上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片電阻器，其特征在于，所述保護(hù)層包括內(nèi)部保護(hù)層(05)和第一保護(hù)層(06)，所述內(nèi)部保護(hù)層(05)和第一保護(hù)層(06)依次附著在所述電阻層(04)和正面電極(02)上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片電阻器，其特征在于，所述鍍層包括第一鍍層(08)和第二鍍層(09)，所述第一鍍層(08)和第二鍍層(09)依次附著在所述側(cè)面電極(07)上。
5.一種制作權(quán)利要求1-4任一所述的芯片電阻器的方法，其特征在于，包括如下步驟：
S1：檢測各個批次漿料的電阻溫度系數(shù)，并對應(yīng)記錄電阻溫度系數(shù)的值，得到一種電阻溫度系數(shù)偏正的漿料和一種電阻溫度系數(shù)偏負(fù)的漿料；
S2：設(shè)定目標(biāo)需求電阻器的電阻溫度系數(shù)，根據(jù)線性關(guān)系式計算出所述電阻溫度系數(shù)偏正的漿料和電阻溫度系數(shù)偏負(fù)的漿料的混合比例；
S3：按步驟S2得到的混合比例將所述電阻溫度系數(shù)偏正的漿料和電阻溫度系數(shù)偏負(fù)的漿料混合，攪拌均勻后涂覆在基板上，將所述基板放入燒結(jié)爐燒結(jié)，得到電阻體；
S4：加熱所述電阻體，測量所述電阻體的電阻溫度系數(shù)，得到電阻體實際電阻溫度系數(shù)，將所述電阻體實際電阻溫度系數(shù)與目標(biāo)需求電阻器的電阻溫度系數(shù)進(jìn)行比對；
S5：對步驟S3得到的電阻體依次進(jìn)行印刷、燒結(jié)、激光調(diào)阻、固化和電鍍，得到成品電阻器。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述步驟S2中，線性關(guān)系式由下述步驟得到：
S21：將步驟S1所述電阻溫度系數(shù)偏正的漿料和電阻溫度系數(shù)偏負(fù)的漿料分別定量涂覆在基體上，將所述基體進(jìn)行燒結(jié)，得到試驗電阻體；
S22：加熱所述試驗電阻體，測量所述試驗電阻體的電阻溫度系數(shù)；
S23：返回步驟S21，改變所述電阻溫度系數(shù)偏正的漿料和電阻溫度系數(shù)偏負(fù)的漿料的量，重新涂覆在基體上，燒結(jié)后得到新的試驗電阻體，加熱新的試驗電阻體，測量其電阻溫度系數(shù)；
S24：根據(jù)步驟S22和S23測量到的電阻溫度系數(shù)，根據(jù)一次函數(shù)兩點法推導(dǎo)出電阻溫度系數(shù)偏正和電阻溫度系數(shù)偏負(fù)的漿料的混合比例和電阻溫度系數(shù)的線性關(guān)系式。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述步驟S21中，所述基體的燒結(jié)溫度范圍是835℃～860℃，保溫時間范圍是10～20min，得到所述試驗電阻體。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述步驟S22中，試驗電阻體的加熱溫度包括相對高溫和相對低溫，所述相對高溫包括125℃，所述相對低溫包括-55℃，在相對高溫下測量所述試驗電阻體的電阻溫度系數(shù)，得到相對高溫下所述試驗電阻體的偏正的電阻溫度系數(shù)值y1和偏負(fù)的電阻溫度系數(shù)值y2。
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