[發(fā)明專(zhuān)利]一種基于磁控濺射的撓性覆銅工藝

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010048096.4
• 申請(qǐng)日: 2020-01-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111254400B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-04-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 屠國(guó)力;田楠;張國(guó)亮;丁璇;姜鵬飛;李學(xué)銀;王晉鋒
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 武漢依麥德新材料科技有限責(zé)任公司
• 主分類(lèi)號(hào): C23C14/35
• 分類(lèi)號(hào): C23C14/35;C23C14/20;C08G73/10;C08L79/08;C08J5/18
• 代理公司: 武漢智嘉聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 42231
• 代理人: 趙澤夏

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于磁控濺射的撓性覆銅工藝，其步驟包括：在襯底上依次制備一次交聯(lián)薄膜和二次交聯(lián)薄膜，自然冷卻后，采用磁控濺射法，于所述二次交聯(lián)薄膜表面濺射沉積導(dǎo)電線路。本發(fā)明通過(guò)控制亞胺化反應(yīng)和交聯(lián)反應(yīng)的溫度變化速率，使兩次所制得的交聯(lián)薄膜的表面粗糙度產(chǎn)生差異，使較粗糙的二次交聯(lián)薄膜表面更易濺射沉積金屬，且沉積效果牢固，采用磁控濺射所做出的金屬層也更加輕?。煌瑫r(shí)兩次所制得的交聯(lián)薄膜的熱膨脹系數(shù)維持在較低水平，有利于金屬的長(zhǎng)期附著。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示器件制造領(lǐng)域，特別是一種基于磁控濺射的撓性覆銅工藝。

背景技術(shù)

目前隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，LED的性能在不斷提高，LED被廣泛的應(yīng)用在各個(gè)領(lǐng)域，比如照明、裝飾、背光源和景觀照明等。LED的發(fā)展在各個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)展迅猛，但是也隨之而來(lái)會(huì)遇到一些挑戰(zhàn)：一方面隨著低碳經(jīng)濟(jì)時(shí)代的到來(lái)，發(fā)展更為節(jié)能的LED是勢(shì)在必行的任務(wù)；另一方面因LED為硬質(zhì)、不能夠彎曲的特點(diǎn)，不能夠滿足其在某些特定場(chǎng)合的使用需求，因此，發(fā)展柔性的LED是當(dāng)下需解決的問(wèn)題。

現(xiàn)有技術(shù)中，在制備柔性LED器件時(shí)，常采用撓性覆銅板工藝(簡(jiǎn)稱(chēng)FCCL)，其步驟如下：首先將選定的銅箔纏繞好，放置在涂布機(jī)上。然后把調(diào)制好的膜層溶液按設(shè)定車(chē)速、溫度等條件下涂布在銅箔上，然后烘箱加溫處理，使得銅箔與基膜連接牢固，成品在收卷之后放到約80℃的保溫空間內(nèi)靜置24小時(shí)以上，以去除基材與銅箔相結(jié)合時(shí)產(chǎn)生的內(nèi)部應(yīng)力，再根據(jù)下游的要求，裁剪成用戶需要尺寸，檢驗(yàn)合格后即可認(rèn)為整體FCCL步驟完成。現(xiàn)有技術(shù)中常采用PET、PC等材料作為柔性基材，但卻存在較多不利因素：1)由于銅箔的熱膨脹系數(shù)為17ppm/℃，PET及PC等材料熱膨脹系數(shù)皆大于50ppm/℃，這就造成基膜與銅箔在制成后必然出現(xiàn)彎折，翹曲，銅箔鼓出，連接不牢固等問(wèn)題；2)由于PET和PC材料耐溫性能較差，作為基材使用效果和壽命均較低。故需要提出一種新的撓性覆銅板制備工藝，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于，提供一種基于磁控濺射的撓性覆銅工藝，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中基材耐溫性差、與銅箔熱膨脹系數(shù)不匹配、連接不牢固的問(wèn)題。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種基于磁控濺射的撓性覆銅工藝，其步驟包括：將二胺類(lèi)化合物與二酐類(lèi)化合物完全溶于溶劑中，進(jìn)行縮聚反應(yīng)10～12h，加入含有封端型化合物后繼續(xù)反應(yīng)6～8h，壓濾后得到預(yù)聚物；將預(yù)聚物分為聚合物A和聚合物B兩部分，將聚合物A涂覆于光滑襯底表面，階梯式升溫至280～350℃進(jìn)行亞胺化反應(yīng)，得到一次亞胺化聚合物；將一次亞胺化聚合物繼續(xù)升溫至350～450℃，維持5～30min后得到一次交聯(lián)薄膜；于一次交聯(lián)薄膜遠(yuǎn)離襯底的一面均勻涂覆聚合物B，一段式升溫至280～350℃進(jìn)行亞胺化反應(yīng)，得到二次亞胺化聚合物；將一次亞胺化聚合物繼續(xù)升溫至350～450℃，維持15～30min后，得到二次交聯(lián)薄膜；自然冷卻后，采用磁控濺射法，于二次交聯(lián)薄膜表面濺射沉積導(dǎo)電線路。

其中，二胺類(lèi)化合物包括：4,4-二氨基聯(lián)苯、對(duì)苯二胺、2,6-萘二胺、2,6-二氨基蒽中一種或多種的混合物；二酐類(lèi)化合物包括均苯四甲酸二酐或聯(lián)苯四甲酸二酐。

其中，聚合物A和聚合物B的質(zhì)量比為(2～3)：1。

其中，光滑襯底包括表面光滑的金屬或者玻璃。

其中，得到一次亞胺化聚合物的步驟中，階梯升溫的條件具體為：升溫速率為2℃/min，到達(dá)80℃時(shí)保溫20min，到達(dá)160℃時(shí)保溫40min，到達(dá)250℃時(shí)保溫20min，到達(dá)350℃時(shí)保溫20min。

其中，得到一次交聯(lián)薄膜的步驟中，升溫速率為2℃，且為一段式升溫。

其中，得到二次亞胺化聚合物的步驟中，一段式升溫的條件具體為：升溫速率為5℃/min，且無(wú)階梯溫度設(shè)置。

其中，得到二次交聯(lián)薄膜的步驟中，升溫速率為5℃，且為一段式升溫。