[發明專利]半導體裝置及半導體裝置的制造方法

在審

• 申請號: 202010047872.9
• 申請日: 2020-01-16
• 公開（公告）號: CN112530880A
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發明（設計）人: 三浦正幸
• 申請（專利權）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號: H01L23/24
• 分類號: H01L23/24;H01L25/18;H01L21/50
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 張世俊

1.一種半導體裝置，具備：

基板，在主面設置有第1端子；

第1半導體芯片，在第1正面設置有與所述第1端子連接的凸塊電極，具有與所述第1正面為相反側的第1背面，所述第1正面與所述主面對面；

第1間隔片，具有第2正面及與所述主面對面的第2背面，所述第2正面距所述主面的高度為所述第1背面距所述主面的高度的上限與下限之間的范圍內；及

第2間隔片，具有第3正面及與所述主面對面的第3背面，所述第3正面距所述主面的高度為所述第1背面距所述主面的高度的上限與下限之間的范圍內。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述第1間隔片的面積與所述第2間隔片的面積在俯視下相互大致均等，

所述第1半導體芯片的外緣具有第1邊及與所述第1邊相向的第2邊，

所述第1間隔片在俯視下與所述第1邊并排，

所述第2間隔片在俯視下與所述第2邊并排。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述第1間隔片的面積與所述第2間隔片的面積在俯視下相互大致均等，

所述第1半導體芯片的外緣具有第1邊及與所述第1邊交叉的第2邊，

所述第1間隔片在俯視下與所述第1邊并排，

所述第2間隔片在俯視下與所述第2邊并排。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置，其中在所述主面還設置有第2端子，且還具備：

第1膜，設置在所述主面與所述第1間隔片之間；

第2膜，設置在所述主面與所述第2間隔片之間；

第3膜，至少覆蓋所述第1背面及所述第2正面；

第2半導體芯片，具有設置有第1焊墊電極的第4正面及面向所述第3粘接膜的第4背面；及

第1接合線，將所述第2端子與所述第1焊墊電極連接；且

所述第3膜的厚度與所述第1膜的厚度大致均等，或大于所述第1膜的厚度，

所述第3膜的厚度與所述第2膜的厚度大致均等，或大于所述第2膜的厚度。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其還具備：

第4膜，覆蓋所述第4正面；

第3半導體芯片，具有設置有第2焊墊電極的第5正面及面向所述第4膜的第5背面；及

第2接合線，將所述第2端子與所述第2焊墊電極連接；且

所述第3膜的厚度與所述第4膜的厚度大致均等，或大于所述第4膜的厚度。

6.一種半導體裝置，具備：

基板，在主面設置有第1端子；

第1半導體芯片，在第1正面設置有與所述第1端子連接的凸塊電極，具有與所述第1正面為相反側的第1背面，所述第1正面與所述主面對面；

第1間隔片，具有第2正面及與所述主面對面的第2背面，所述第2正面距所述主面的高度低于所述第1背面距所述主面的高度的下限；及

第2間隔片，具有第3正面及與所述主面對面的第3背面，所述第3正面距所述主面的高度低于所述第1背面距所述主面的高度的下限。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其中在所述主面設置有第2端子，且還具備：

膜，至少覆蓋所述第1背面及所述第2正面或所述第3正面；

第2半導體芯片，具有設置有焊墊電極的第4正面及面向所述膜的第4背面；及

接合線，將所述第2端子與所述焊墊電極連接。

8.一種半導體裝置的制造方法，具備：

將第1間隔片設置在基板的主面，將第2間隔片設置在所述基板的主面；及

在設置所述第1間隔片及所述第2間隔片后，

在第1半導體芯片的正面與所述主面對面的狀態下介隔多個凸塊電極將所述第1半導體芯片設置在所述主面。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置的制造方法，其中將所述第1半導體芯片設置在所述主面包括：

在所述第1半導體芯片的正面與所述基板的主面對向的狀態下介隔所述多個凸塊電極將所述第1半導體芯片配置在所述主面；及

利用接合工具的頭將所述第1半導體芯片的背面向所述基板側按壓。