[發(fā)明專(zhuān)利]3D存儲(chǔ)器件及粘附膜的原子層沉積方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010046821.4
• 申請(qǐng)日: 2020-01-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111211048A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-05-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 毛格;胡凱;劉子良;李遠(yuǎn)
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/285
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/285;H01L21/02;H01L27/11521;H01L27/11556;H01L27/11568;H01L27/11582
• 代理公司: 北京成創(chuàng)同維知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11449
• 代理人: 蔡純;張靖琳

1.一種粘附膜的原子層沉積方法，包括：

在反應(yīng)室中放置形成有層間絕緣層的襯底；

通入包含Ti的第一反應(yīng)氣體；以及

通入包含N的第二反應(yīng)氣體和包含Si的第三反應(yīng)氣體，

其中，所述原子層沉積方法在所述層間絕緣層的暴露表面上形成無(wú)定形TiSiN膜作為粘附膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的原子層沉積方法，在通入所述第三反應(yīng)氣體之前，所述原子層沉積方法還包括第一次清洗；

在通入所述第三反應(yīng)氣體之后，所述原子層沉積方法還包括第二次清洗。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的原子層沉積方法，其中，所述粘附膜的表面上形成3D存儲(chǔ)器件的柵極導(dǎo)體。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的原子層沉積方法，其中，所述第一反應(yīng)氣體為T(mén)iCl4，所述第二反應(yīng)氣體為NH3，所述第三反應(yīng)氣體為SiH4。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的原子層沉積方法，其中，所述第一次清洗和所述第二次清洗采用的清洗氣體為N2。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的原子層沉積方法，其中，重復(fù)通入第一反應(yīng)氣體、第一次清洗、通入第二反應(yīng)氣體和第三反應(yīng)氣體、以及第二次清洗的步驟，以達(dá)到TiSiN膜的期望厚度。

7.一種3D存儲(chǔ)器件，包括:

襯底；

位于襯底上方的疊層結(jié)構(gòu)，所述疊層結(jié)構(gòu)包括層間絕緣層和采用層間絕緣層彼此隔開(kāi)的多個(gè)柵極導(dǎo)體，所述多個(gè)柵極導(dǎo)體由柵線(xiàn)縫隙分別分割為多個(gè)柵線(xiàn)；以及

位于所述柵線(xiàn)縫隙中的導(dǎo)電通道和絕緣層，所述導(dǎo)電通道采用所述絕緣層與所述多個(gè)柵線(xiàn)彼此隔開(kāi)，

其中，所述3D存儲(chǔ)器件還包括無(wú)定形TiSiN膜作為粘附膜，所述粘附膜位于所述柵極導(dǎo)體和所述層間絕緣層之間且與所述柵極導(dǎo)體接觸。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的3D存儲(chǔ)器件，還包括阻擋層，所述阻擋層位于相鄰的所述層間絕緣層之間，和/或位于所述柵線(xiàn)鄰近所述導(dǎo)電通道的端部與絕緣層之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的3D存儲(chǔ)器件，其中，所述柵極導(dǎo)體內(nèi)形成有縫隙，所述阻擋層封閉所述縫隙鄰近所述導(dǎo)電通道的開(kāi)口。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的3D存儲(chǔ)器件，其中，所述阻擋層為阻氟層。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的3D存儲(chǔ)器件，其中，所述阻擋層為氧化鋁。

12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的3D存儲(chǔ)器件，其中，所述粘附層和所述柵極導(dǎo)體分別采用原子層沉積工藝形成。