[發明專利]用于在間隙填充中沉積和蝕刻的裝置和方法

有效

• 申請號: 202010046740.4
• 申請日: 2017-06-30
• 公開（公告）號: CN111243931B
• 公開（公告）日: 2023-04-11
• 發明（設計）人: 阿希爾·辛格哈爾;帕特里克·A·范克利蒙布特;馬丁·E·弗里伯恩;巴特·J·范施拉芬迪克
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;C23C16/04;C23C16/455;C23C16/509
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 李獻忠;張華

1.一種用于執行沉積和蝕刻工藝的集成裝置，所述裝置包括：

處理室，其中所述處理室包括噴頭和基座；

一個或多個射頻(RF)發生器；以及

一個或多個濾波器，其能操作地耦合到所述一個或多個射頻發生器，其中，所述集成裝置被配置為在以下模式之間切換：(1)用于執行沉積工藝的沉積模式，其中在所述沉積模式下所述一個或多個濾波器選擇性地阻止來自所述噴頭的低頻信號，并選擇性地將高頻信號傳遞給所述噴頭，和(2)用于執行蝕刻工藝的蝕刻模式，其中在所述蝕刻模式下所述一個或多個濾波器選擇性地將高頻信號和低頻信號傳遞到所述基座并將所述噴頭接地。

2.根據權利要求1所述的裝置，其中所述處理室是電容耦合等離子體(CCP)反應器，并且其中所述噴頭包括上電極，所述基座包括下電極。

3.根據權利要求1所述的裝置，還包括：

一個或多個開關，所述一個或多個開關能操作地耦合到所述一個或多個射頻發生器。

4.根據權利要求3所述的裝置，其中在所述沉積模式下的所述一個或多個開關將所述一個或多個射頻發生器耦合至所述噴頭。

5.根據權利要求3所述的裝置，其中，在所述蝕刻模式下的所述一個或多個開關將所述一個或多個射頻發生器耦合至所述基座并將所述噴頭接地。

6.根據權利要求3所述的裝置，其中所述一個或多個射頻發生器包括高頻射頻發生器和低頻射頻發生器。

7.根據權利要求6所述的裝置，其中所述一個或多個開關包括：

第一站繼電器開關，其被配置為在沉積模式下將所述低頻射頻發生器和所述高頻射頻發生器電連接到所述噴頭；以及

第二站繼電器開關，其被配置為在所述蝕刻模式下將所述低頻射頻發生器和所述高頻射頻發生器電連接到所述基座。

8.一種用于執行沉積和蝕刻工藝的集成裝置，所述裝置包括：

處理室，其中所述處理室包括噴頭和基座；

一個或多個射頻發生器；以及

系統控制器，其可操作地耦合到所述一個或多個射頻發生器，其中所述系統控制器被配置有用于執行以下操作的指令：

在沉積模式下將所述一個或多個射頻發生器耦合到至少所述噴頭；和

在蝕刻模式下將所述一個或多個射頻發生器耦合到至少所述基座。

9.根據權利要求8所述的裝置，其中，所述系統控制器還被配置有用于執行以下操作的指令：

在所述處理室中的所述基座上提供晶片，其中所述晶片包括第一介電層；

當所述一個或多個射頻發生器在所述蝕刻模式下耦合到至少所述基座時，在所述處理室中各向異性地蝕刻所述第一介電層；和

當所述一個或多個射頻發生器在所述沉積模式下耦合到至少所述噴頭時，在所述處理室中通過ALD將第二介電層沉積在所述第一介電層上。

10.根據權利要求8所述的裝置，其中所述處理室是電容耦合等離子體(CCP)反應器，并且其中所述噴頭包括上電極，所述基座包括下電極。

11.根據權利要求8所述的裝置，還包括：

一個或多個濾波器，其能操作地耦合到所述一個或多個射頻發生器，其中，所述集成裝置被配置為在以下模式之間切換：(1)用于執行沉積工藝的沉積模式，其中在所述沉積模式下所述一個或多個濾波器選擇性地阻止來自所述噴頭的低頻信號，并選擇性地將高頻信號傳遞給所述噴頭，和(2)用于執行蝕刻工藝的蝕刻模式，其中在所述蝕刻模式下所述一個或多個濾波器將高頻信號和低頻信號傳遞到所述基座并將所述噴頭接地。

12.根據權利要求8所述的裝置，其中所述一個或多個射頻發生器包括高頻射頻發生器和低頻射頻發生器。