[發(fā)明專利]熒光薄膜屏、其制備方法及其在微通道板像增強(qiáng)器的應(yīng)用

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010045735.1
• 申請日: 2020-01-16
• 公開（公告）號: CN111243922B
• 公開（公告）日: 2022-11-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周東站;劉輝;蔡華;王辰;劉暢;廉姣
• 申請（專利權(quán)）人: 中國建筑材料科學(xué)研究總院有限公司
• 主分類號: H01J31/12
• 分類號: H01J31/12;H01J31/50;H01J9/22
• 代理公司: 北京鼎佳達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11348
• 代理人: 霍紅艷;劉鐵生

1.一種熒光薄膜屏，其特征在于，包括透明基底以及依次沉積在該透明基底上的第一熒光薄膜層、熒光增強(qiáng)層、第二熒光薄膜層及導(dǎo)電膜層。

2.如權(quán)利要求1所述的熒光薄膜屏，其特征在于，還包括第一隔離層、第二隔離層和第三隔離層中的至少一種；所述第一隔離層設(shè)置于所述第一熒光薄膜層與熒光增強(qiáng)層之間；所述第二隔離層設(shè)置于所述熒光增強(qiáng)層與第二熒光薄膜層之間；所述第三隔離層設(shè)置于所述第二熒光薄膜層與導(dǎo)電膜層之間。

3.如權(quán)利要求2所述的熒光薄膜屏，其特征在于，所述第一隔離層、第二隔離層及第三隔離層的材質(zhì)選自SiO₂、TiO₂、HfO₂、MgO、ZrO₂、Si₃N₄或Al₂O₃，其膜層厚度為5nm～40nm。

4.如權(quán)利要求1所述的熒光薄膜屏，其特征在于，所述透明基底的材質(zhì)選自玻璃、石英、光纖面板或有機(jī)玻璃。

5.如權(quán)利要求1所述的熒光薄膜屏，其特征在于，所述第一熒光薄膜層、第二熒光薄膜層為無機(jī)熒光材料，其熒光發(fā)光波長處于380nm～760nm的可見光范圍，其膜層厚度為50nm～2000nm。

6.如權(quán)利要求5所述的熒光薄膜屏，其特征在于，所述無機(jī)熒光材料選自CRT用熒光材料；所述CRT用熒光材料選自硫化物、氧化物、硫氧化物或硅酸鹽。

7.如權(quán)利要求1所述的熒光薄膜屏，其特征在于，所述熒光增強(qiáng)層的材質(zhì)選自Au、Ag、Cu、Al、Pt、Zn、Cr及其合金中的至少一種，其膜層厚度為5nm～50nm。

8.如權(quán)利要求1所述的熒光薄膜屏，其特征在于，所述導(dǎo)電膜層的材質(zhì)選自Al、Ag、Cr、Ni、Au、Cu、Zn金屬及其合金中的至少一種，其膜層厚度為20nm～200nm。

9.一種權(quán)利要求1-8任一項所述的熒光薄膜屏的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

在透明基底上至少通過物理氣相沉積法、化學(xué)氣相沉積法或濕化學(xué)沉積法沉積第一熒光薄膜層；

在所述第一熒光薄膜層上至少通過濺射法、熱蒸發(fā)法沉積熒光增強(qiáng)層；

在熒光增強(qiáng)層上至少通過物理氣相沉積法、化學(xué)氣相沉積法或濕化學(xué)沉積法沉積第二熒光薄膜層；

在所述第二熒光薄膜層上至少通過濺射法、熱蒸發(fā)法沉積導(dǎo)電膜層。

10.如權(quán)利要求9所述的熒光薄膜屏，其特征在于，所述制備方法還包括以下步驟中的至少一個：

在所述第一熒光薄膜層與熒光增強(qiáng)層之間設(shè)置第一隔離層的步驟；

在所述熒光增強(qiáng)層與第二熒光薄膜層之間設(shè)置第二隔離層的步驟；以及

在所述第二熒光薄膜層與導(dǎo)電膜層之間設(shè)置第三隔離層的步驟。

11.一種微通道板像增強(qiáng)器，其特征在于，所述微通道板像增強(qiáng)器包括權(quán)利要求1-8任一項所述的熒光薄膜屏。