[發明專利]陣列基板及其制備方法

在審

• 申請號: 202010045338.4
• 申請日: 2020-01-16
• 公開（公告）號: CN111244108A
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發明（設計）人: 孫正娟
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/417;H01L29/45;H01L21/77
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 楊艇要

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

基板；以及

陣列層，設于所述基板一側的表面；所述陣列層包括源漏電極層；

其中，所述源漏電極層包括：

第一金屬層；以及

第二金屬層，設于所述第一金屬層遠離所述基板一側的表面。

2.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

所述第一金屬層的材質為鉬。

3.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

所述第二金屬層的材質為鋁。

4.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

所述第二金屬層設有第一通孔，所述第一通孔貫穿所述第二金屬層。

5.如權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，還包括

鈍化層，設于所述陣列層遠離所述基板一側的表面；

所述鈍化層設有第二通孔，所述第二通孔與所述第一通孔相對設置，且所述第二通孔的內徑大于所述第一通孔的內徑。

6.如權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，還包括

像素電極層，從所述鈍化層遠離所述基板一側的表面延伸至所述第二通孔的內側壁以及所述第一通孔的底部及其內側壁。

7.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

基板提供步驟，提供一基板；以及

陣列層制備步驟，在所述基板的上表面制備出一陣列層；

其中，所述陣列層制備步驟包括源漏極層制備步驟；

在所述源漏極制備步驟中，

制備出第一金屬層；

在所述第一金屬層的上表面制備出第二金屬層。

8.如權利要求7所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，

在所述陣列層制備步驟之后，還包括：

鈍化層制備步驟，在所述陣列層的上表面制備出一鈍化層；以及

電極層制備步驟，在所述陣列層的上表面制備出一電極層。

9.如權利要求8所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，

所述鈍化層制備步驟包括：

成膜步驟，在所述陣列層的上表面涂覆一層鈍化材料并使之成膜；

第一刻蝕步驟，刻蝕處理所述鈍化材料，形成第二通孔。

10.如權利要求7所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，還包括第二刻蝕步驟，采用濕刻法刻蝕處理第二金屬層，形成第一通孔。