[發明專利]沉積掩模和制造該沉積掩模的方法

在審

• 申請號: 202010045251.7
• 申請日: 2020-01-16
• 公開（公告）號: CN112071877A
• 公開（公告）日: 2020-12-11
• 發明（設計）人: 韓政洹
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/56
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉美華;張川緒

1.一種制造沉積掩模的方法，所述方法包括：

準備具有防水表面的導電基體板；

將墨的液滴滴在所述導電基體板上的與圖案孔對應的位置中，并且固化所述墨的所述液滴；

通過對所述導電基體板的其上固化有所述墨的所述液滴的表面執行電鍍來形成具有圖案孔的所述沉積掩模的主體；以及

將所述導電基體板與所述沉積掩模的所述主體分離。

2.如權利要求1所述的方法，其中，

所述準備具有所述防水表面的所述導電基體板的步驟包括：

準備親水導電基底；以及

在所述親水導電基底的表面上形成疏水涂覆層。

3.如權利要求2所述的方法，所述方法還包括：

去除所述疏水涂覆層的未被所述墨的所述液滴覆蓋的暴露部分。

4.如權利要求3所述的方法，其中，

所述去除所述疏水涂覆層的所述暴露部分的步驟包括干蝕刻。

5.如權利要求4所述的方法，其中，

所述干蝕刻包括等離子體蝕刻。

6.如權利要求1所述的方法，其中，

所述準備具有所述防水表面的所述導電基體板的步驟包括：

準備疏水導電基底。

7.如權利要求1所述的方法，其中，

所述準備具有所述防水表面的所述導電基體板的步驟包括：

準備非導電基底；

在所述非導電基底的表面上形成導電層；以及

在所述導電層上形成疏水涂覆層。

8.如權利要求7所述的方法，所述方法還包括：

去除所述疏水涂覆層的未被所述墨的所述液滴覆蓋的暴露部分。

9.如權利要求8所述的方法，其中，

所述去除所述疏水涂覆層的所述暴露部分的步驟包括干蝕刻。

10.如權利要求9所述的方法，其中，

所述干蝕刻包括等離子體蝕刻。

11.如權利要求9所述的方法，其中，

當將所述導電基體板與所述沉積掩模的所述主體分離時，所述導電層包括所述沉積掩模的所述主體中的層。

12.如權利要求1所述的方法，其中，

所述墨包括光固化材料和熱固化材料中的一種。

13.如權利要求12所述的方法，其中，

當所述墨包括光固化材料時，通過向所述墨的所述液滴發射紫外光和紅外光中的一種來固化所述墨的所述液滴。

14.如權利要求12所述的方法，其中，

當所述墨包括熱固化材料時，通過對所述墨的所述液滴施加熱來固化所述墨的所述液滴。

15.如權利要求12所述的方法，其中，

所述墨包括樹脂墨。

16.如權利要求1所述的方法，其中，

所述圖案孔具有其中所述圖案孔中的開口的尺寸從所述主體的表面到所述主體的另一表面連續減小的圓頂形狀。

17.一種沉積掩模，所述沉積掩模包括：

主體；以及

多個圖案孔，穿透到所述主體中，

其中，所述多個圖案孔具有其中所述多個圖案孔中的開口的尺寸從所述主體的表面到所述主體的另一表面連續減小的形狀。

18.如權利要求17所述的沉積掩模，其中，

所述多個圖案孔具有具備敞開的頂部的圓頂形狀。