[發(fā)明專利]被覆切削工具

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010045177.9
• 申請(qǐng)日: 2020-01-16
• 公開（公告）號(hào): CN111455348B
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高橋欣也;福島直幸
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社泰珂洛
• 主分類號(hào): C23C16/30
• 分類號(hào): C23C16/30;C23C16/40;B23B27/14;B23B51/00;B23C5/16
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;柯夢(mèng)云

1.一種被覆切削工具，其具備基材、和形成于該基材的表面的被覆層，其中，

所述被覆層從所述基材側(cè)依次包含下部層、中間層、和上部層，

所述下部層包含一層或兩層以上的Ti化合物層，該Ti化合物層由Ti、與選自由C、N、O以及B組成的群組中的至少一種元素的Ti化合物構(gòu)成，所述中間層包含由α型Al₂O₃構(gòu)成的α型Al₂O₃層，所述上部層包含由TiCNO構(gòu)成的TiCNO層，

所述被覆層的平均厚度為5.0μm以上30.0μm以下，

在第1截面中，取向差A(yù)滿足以下述式(i)表示的條件，所述第1截面在從所述中間層的所述上部層側(cè)的界面朝向基材側(cè)至1μm為止的范圍內(nèi)，且與所述基材的所述下部層側(cè)的界面平行，

在第2截面中，取向差B滿足以下述式(ii)表示的條件，所述第2截面在從所述上部層的所述中間層側(cè)的界面朝向其相反側(cè)的界面至1μm為止的范圍內(nèi)，且與所述基材的所述下部層側(cè)的界面平行，

RSA≧40 (i)

式(i)中，RSA為：在所述第1截面中，取向差A(yù)為0度以上且不足10度的粒子的截面積相對(duì)于取向差A(yù)為0度以上45度以下的粒子的截面積的比例，其單位為面積％，取向差A(yù)為所述第1截面的法線與所述中間層中的α型Al₂O₃層的粒子的(001)面的法線所成的角度，其單位為度，

RSB≧40 (ii)

式(ii)中，RSB為：在所述第2截面中，取向差B為0度以上且不足10度的粒子的截面積相對(duì)于取向差B為0度以上45度以下的粒子的截面積的比例，其單位為面積％，取向差B為所述第2截面的法線與所述上部層中的TiCNO層的粒子的(111)面的法線所成的角度，其單位為度。

2.如權(quán)利要求1所述的被覆切削工具，其中，

所述RSA為50面積％以上。

3.如權(quán)利要求1所述的被覆切削工具，其中，

所述RSB為50面積％以上。

4.如權(quán)利要求2所述的被覆切削工具，其中，

所述RSB為50面積％以上。

5.如權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的被覆切削工具，其中，

所述上部層由TiCNO層形成，所述TiCNO層含有具有以下述式(1)表示的組成的化合物，

Ti(C_1-x-yN_xO_y) (1)

式中，x表示N元素相對(duì)于C元素、N元素與O元素的總量的原子比，y表示O元素相對(duì)于C元素、N元素與O元素的總量的原子比，并滿足0.15≦x≦0.65、0.01≦y≦0.20。

6.如權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的被覆切削工具，其中，

所述上部層的平均厚度為1.0μm以上6.0μm以下。

7.如權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的被覆切削工具，其中，

所述中間層的平均厚度為3.0μm以上15.0μm以下。

8.如權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的被覆切削工具，其中，

所述下部層的平均厚度為3.0μm以上15.0μm以下。

9.如權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的被覆切削工具，其中，

構(gòu)成所述Ti化合物層的Ti化合物為選自由TiN、TiC、TiCN、TiCNO、TiON以及TiB₂組成的群組中的至少一種。

10.如權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的被覆切削工具，其中，

所述基材為硬質(zhì)合金、金屬陶瓷、陶瓷中的任一種。

11.如權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的被覆切削工具，其中，

所述基材為立方氮化硼燒結(jié)體。