[發(fā)明專利]熱電子發(fā)射器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010044329.3
• 申請(qǐng)日: 2020-01-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113130275A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-07-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊心翮;柳鵬;姜開(kāi)利;范守善
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 清華大學(xué);鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司
• 主分類號(hào): H01J1/14
• 分類號(hào): H01J1/14;H01J1/15;H01J1/46;H01J3/02;B82Y30/00
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種熱電子發(fā)射器件，其特征在于，包括：

一柵極，該柵極的表面設(shè)置一絕緣層；

一第一電極及一第二電極間隔設(shè)置于所述絕緣層的表面并與所述柵極絕緣設(shè)置；

一根碳納米管設(shè)置于所述絕緣層上方，所述碳納米管具有相對(duì)的第一端和第二端以及位于第一端和第二端之間的中間部，所述碳納米管的第一端與所述第一電極接觸電連接，所述碳納米管的第二端與所述第二電極接觸電連接。

2.如權(quán)利要求1所述的熱電子發(fā)射器件，其特征在于，所述碳納米管的中間部形成有缺陷。

3.如權(quán)利要求2所述的熱電子發(fā)射器件，其特征在于，所述碳納米管的中間部形成有碳原子七元環(huán)或八元環(huán)。

4.如權(quán)利要求2所述的熱電子發(fā)射器件，其特征在于，所述碳納米管為單壁碳納米管或雙壁碳納米管。

5.如權(quán)利要求1所述的熱電子發(fā)射器件，其特征在于，所述碳納米管的第一端設(shè)置于所述第一電極的表面，所述碳納米管的第二端設(shè)置于所述第二電極的表面，該碳納米管通過(guò)所述第一電極和所述第二電極懸空設(shè)置于所述絕緣層的上方。

6.如權(quán)利要求1所述的熱電子發(fā)射器件，其特征在于，所述碳納米管貼合設(shè)置于所述絕緣層的表面，所述第一電極設(shè)置于所述碳納米管的第一端，所述第二電極設(shè)置于所述碳納米管的第二端。

7.如權(quán)利要求1所述的熱電子發(fā)射器件，其特征在于，所述絕緣層具有一通孔或盲孔，所述第一電極和所述第二電極分別設(shè)置于所述通孔或盲孔的兩側(cè)，所述碳納米管在所述通孔或盲孔的上方懸空設(shè)置。

8.如權(quán)利要求1所述的熱電子發(fā)射器件，其特征在于，所述絕緣層包括一第一絕緣層和一第二絕緣層，所述第一絕緣層和所述第二絕緣層間隔設(shè)置于所述柵極的表面。

9.如權(quán)利要求8所述的熱電子發(fā)射器件，其特征在于，所述第一電極設(shè)置于所述第一絕緣層的表面，所述第二電極設(shè)置于所述第二絕緣層的表面，所述碳納米管在所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的上方懸空設(shè)置。

10.如權(quán)利要求1所述的熱電子發(fā)射器件，其特征在于，所述碳納米管的表面形成有一低逸出功層。