[發明專利]一種輻射屏蔽復合材料及其制備方法

在審

• 申請號: 202010044290.5
• 申請日: 2020-01-15
• 公開（公告）號: CN111205107A
• 公開（公告）日: 2020-05-29
• 發明（設計）人: 李遠兵;董成;羅瀚;賈文寶;李淑靜;陳若愚;向若飛
• 申請（專利權）人: 武漢科技大學
• 主分類號: C04B41/86
• 分類號: C04B41/86;G21F1/02;G21F1/06;C03C8/10;C03C6/04
• 代理公司: 武漢科皓知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 42222
• 代理人: 張火春

1.一種輻射屏蔽復合材料的制備方法，其特征在于所述制備方法的步驟是：

步驟一、將氣孔率為54.0～94.2vol％和常溫耐壓強度為304.8～456.2MPa的硼酸鋁多孔陶瓷切割成能置于氮化硼坩堝中的塊狀，得到硼酸鋁多孔陶瓷塊；

步驟二、將32.0～40.0wt％的氧化硼、28.0～37.0wt％的氧化鉍、1.0～5.0wt％的氧化磷、4.0～9.0wt％的氧化硅、3.0～8.0wt％的氧化鉛、2.0～7.0wt％的氧化鋇、4.0～8.0wt％的氧化鋰和2.0～5.0wt％的稀土金屬氧化物混合，即得混合料；將所述混合料于1400℃～1600℃條件下熔融，然后將熔融的玻璃熔液進行水淬，破碎至粒徑小于0.147mm，得到含輻射屏蔽成分的玻璃屏蔽劑；

步驟三、將所述硼酸鋁多孔陶瓷塊置于氮化硼坩堝中，用所述含輻射屏蔽成分的玻璃屏蔽劑包埋硼酸鋁多孔陶瓷塊；將所述氮化硼坩堝置于真空爐中，抽真空至1.33×10^-2Pa以下，升溫至1000～1300℃，保溫30～90分鐘；然后在常壓條件下依次以15～20℃/min速率降溫至600～800℃和以5～10℃/min速率降溫至200～500℃，保溫60～180分鐘；冷卻，切削和拋光處理，制得輻射屏蔽復合材料。

2.根據權利要求1所述輻射屏蔽復合材料的制備方法，其特征在于所述氧化硼為分析純。

3.根據權利要求1所述輻射屏蔽復合材料的制備方法，其特征在于所述氧化鉍為分析純。

4.根據權利要求1所述輻射屏蔽復合材料的制備方法，其特征在于所述氧化磷為分析純。

5.根據權利要求1所述輻射屏蔽復合材料的制備方法，其特征在于所述氧化硅為分析純。

6.根據權利要求1所述輻射屏蔽復合材料的制備方法，其特征在于所述氧化鉛為分析純。

7.根據權利要求1所述輻射屏蔽復合材料的制備方法，其特征在于所述氧化鋇為分析純。

8.根據權利要求1所述輻射屏蔽復合材料的制備方法，其特征在于所述氧化鋰為分析純。

9.根據權利要求1所述輻射屏蔽復合材料的制備方法，其特征在于所述稀土金屬氧化物為分析純。

10.一種輻射屏蔽復合材料，其特征在于所述輻射屏蔽復合材料是根據權利要求1～9項中任一項所述的輻射屏蔽復合材料的制備方法所制備的輻射屏蔽復合材料。