[發明專利]負阻抗電路和相應的設備

在審

• 申請號: 202010044159.9
• 申請日: 2020-01-15
• 公開（公告）號: CN111464150A
• 公開（公告）日: 2020-07-28
• 發明（設計）人: A·巴拜利;A·維多尼
• 申請（專利權）人: 意法半導體股份有限公司
• 主分類號: H03H11/52
• 分類號: H03H11/52
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種負阻抗電路，包括：

差分電路級，具有第一輸入、第二輸入和輸出；

從所述差分電路級的所述輸出到所述差分電路級的所述第一輸入的正反饋路徑；和

從所述差分電路級的所述輸出到所述差分電路級的所述第二輸入的負反饋路徑，其中：

所述負反饋路徑包括第一晶體管，和從所述差分電路級的所述輸出到所述差分電路級的所述第二輸入的單一增益路徑，所述單位增益路徑經由參考阻抗被耦合至地，

所述正反饋路徑包括第二晶體管，

所述第一晶體管和所述第二晶體管具有被配置為由所述差分電路級的所述輸出驅動的相應控制電極，所述第一晶體管和所述第二晶體管以電流鏡布置被耦合，以及

所述負阻抗電路被配置為在所述差分電路級的所述第一輸入處引起負阻抗。

2.根據權利要求1所述的負阻抗電路，還包括從所述差分電路級的所述輸出到所述差分電路級的所述第一輸入的第二正反饋路徑。

3.根據權利要求2所述的負阻抗電路，其中所述差分電路級包括差分輸入級，所述差分輸入級具有耦合至所述第一晶體管的控制端子的第一輸出，并且具有耦合至第三晶體管的控制端子的第二輸出，所述第三晶體管具有耦合在所述第一晶體管的電流路徑與地之間的電流路徑。

4.根據權利要求3所述的負阻抗電路，還包括第四晶體管，所述第四晶體管具有被耦合至所述第三晶體管的所述控制端子的控制端子，并且具有耦合在所述第二晶體管的電流路徑與地之間的電流路徑。

5.根據權利要求4所述的負阻抗電路，其中所述差分輸入級包括：

第五晶體管，具有耦合至第一中間節點的控制端子，所述第一中間節點被耦合在所述第二晶體管和所述第四晶體管的電流路徑之間；

第六晶體管，具有耦合至第二中間節點的控制端子，所述第二中間節點被耦合在所述第一晶體管和所述第三晶體管的電流路徑之間；以及

第一電流源，被耦合在所述第五晶體管和所述第六晶體管與地之間。

6.根據權利要求5所述的負阻抗電路，其中所述差分電路級還包括：

第七晶體管，具有耦合至所述第六晶體管的控制端子；和

第八晶體管，具有耦合在所述第七晶體管的電流路徑與地之間的電流路徑，并且具有耦合至所述第三晶體管的所述控制端子的控制端子。

7.根據權利要求1所述的負阻抗電路，其中所述參考阻抗包括電容性阻抗，并且其中所述負阻抗包括負電容性阻抗。

8.根據權利要求1所述的負阻抗電路，其中所述第一晶體管和所述第二晶體管以電流鏡布置被耦合，所述電流鏡布置具有從所述第一晶體管到所述第二晶體管的電流增益M，其中M大于1。

9.根據權利要求1所述的負阻抗電路，其中：

所述差分電路級包括差分輸入級，所述差分輸入級具有第一輸入節點、第二輸入節點、第一輸出節點和第二輸出節點；

所述正反饋路徑從所述輸入差分級的所述第一輸出節點到所述第一輸入節點而被提供；

第二正反饋路徑從所述輸入差分級的所述第二輸出節點到所述第一輸入節點而被提供；

所述負反饋路徑經由一對第一晶體管中的相應第一晶體管，從耦合至所述輸入差分級的所述第一輸出節點和所述第二輸出節點的反饋節點被提供至所述輸入差分級的所述第二輸入節點；

所述正反饋路徑和所述第二正反饋路徑包括一對第二晶體管中的相應第二晶體管；

所述一對第一晶體管中的所述第一晶體管中的每個第一晶體管以電流鏡布置被耦合至所述一對第二晶體管中的所述第二晶體管中的相應第二晶體管；以及

所述負阻抗在所述差分電路級的所述第一輸入節點處可用。

10.根據權利要求1所述的負阻抗電路，其中所述第一晶體管和所述第二晶體管包括金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)。