[發明專利]一種顯示面板制作方法及顯示面板有效
| 申請號: | 202010043246.2 | 申請日: | 2020-01-15 |
| 公開(公告)號: | CN111244140B | 公開(公告)日: | 2023-04-25 |
| 發明(設計)人: | 趙成雨 | 申請(專利權)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
| 主分類號: | H10K59/124 | 分類號: | H10K59/124;H10K59/121;H10K50/844;H10K71/00 |
| 代理公司: | 廣東君龍律師事務所 44470 | 代理人: | 丁建春 |
| 地址: | 065500 河*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 面板 制作方法 | ||
1.一種顯示面板的制作方法,其特征在于,包括:
提供襯底基板,在所述襯底基板上形成介質層;具體包括:在所述襯底基板上形成絕緣層;在所述絕緣層遠離所述襯底基板的表面形成平坦層;去除部分所述平坦層,以將所述絕緣層裸露出來;剩余所述平坦層及所述絕緣層形成第二溝槽;所述在所述襯底基板上形成絕緣層的步驟具體包括:在所述襯底基板上形成第一絕緣層;在所述第一絕緣層遠離所述襯底基板的一表面形成第二絕緣層;去除部分所述第二絕緣層,以將部分所述第一絕緣層裸露出來;在裸露出的部分所述第一絕緣層上形成與所述第二絕緣層平齊的第三絕緣層;形成覆蓋所述第二絕緣層及所述第三絕緣層的第四絕緣層;
蝕刻去除部分所述介質層,以形成多個第一溝槽及位于兩相鄰的所述第一溝槽之間的隔離柱;其中,所述第一溝槽靠近所述襯底基板的底端空間大于遠離所述襯底基板的開口端的空間;具體包括:去除裸露出的部分所述第四絕緣層及第四絕緣層下方的第三絕緣層,以將所述第一絕緣層裸露出來;其中,裸露出所述第一絕緣層的位置形成所述第一溝槽,兩相鄰的所述第一溝槽之間形成所述隔離柱;
在所述第一溝槽、所述隔離柱及所述介質層上形成有機發光膜層,所述第一溝槽將所述隔離柱及所述介質層上的有機發光膜層隔斷;
形成封裝層,以將所述第一溝槽、所述隔離柱及所述介質層上的有機發光膜層進行封裝。
2.根據權利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述蝕刻去除部分所述介質層,以形成多個第一溝槽及位于兩相鄰的所述第一溝槽之間的隔離柱的步驟具體包括:
在所述介質層遠離所述襯底基板的一表面形成保護層;
對所述保護層進行蝕刻,裸露出部分所述介質層;
對裸露出的所述介質層進行蝕刻處理,以形成多個所述第一溝槽及位于兩相鄰的所述第一溝槽之間的所述隔離柱,其中,所述隔離柱的頂平面凸出于所述第一溝槽的底部;
及去除剩余所述保護層。
3.根據權利要求2所述的制作方法,其特征在于,
其中,所述保護層覆蓋所述第二溝槽。
4.根據權利要求3所述的制作方法,其特征在于,所述在所述絕緣層遠離所述襯底基板的表面形成平坦層的步驟具體包括:
在所述絕緣層遠離所述襯底基板的一表面形成平坦化層;
在所述平坦化層遠離所述襯底基板的一表面形成像素限定層。
5.根據權利要求3所述的制作方法,其特征在于,
所述在所述襯底基板上形成第一絕緣層包括:
在所述襯底基板的一表面形成氮化硅層,及在所述氮化硅層遠離所述襯底基板的一表面形成氧化硅層;
所述在所述第一絕緣層遠離所述襯底基板的一表面形成第二絕緣層包括:
在所述氧化硅層遠離所述襯底基板的一表面形成柵極絕緣層;
在所述柵極絕緣層遠離所述襯底基板的一表面形成電容絕緣層;
在所述電容絕緣層遠離所述襯底基板的一表面形成混合絕緣層。
6.根據權利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述形成封裝層,以將所述第一溝槽、所述隔離柱及所述介質層上的有機發光膜層進行封裝之后還包括:
去除部分所述隔離柱,以形成貫穿所述襯底基板、所述介質層、所述有機發光膜層及所述封裝層的通孔;
其中,所述第一溝槽將剩余所述隔離柱及所述介質層上的所述有機發光膜層隔斷。
7.一種顯示面板,其特征在于,所述顯示面板通過權利要求1~6任一項所述的制作方法制成。
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