[發(fā)明專利]一種表貼面陣列器件引腳去氧化的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010043048.6 | 申請日： | 2020-01-15 |
| 公開（公告）號： | CN111243940A | 公開（公告）日： | 2020-06-05 |
| 發(fā)明（設計）人： | 陳軼龍;栗凡;李留輝;姚宇清 | 申請（專利權）人： | 西安微電子技術研究所 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人： | 馬貴香 |
| 地址： | 710065 陜西*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 貼面 陣列 器件 引腳 氧化 方法 | ||
1.一種表貼面陣列器件引腳去氧化的方法，其特征在于，包括以下步驟，
步驟1，先將助焊劑刷涂在表貼面陣列器件的引腳上，然后將附著有助焊劑的表貼面陣列器件在100℃～140℃下熱處理1min～2min，得到熱處理后的表貼面陣列器件；
步驟2，將熱處理后的表貼面陣列器件中殘留的助焊劑去除后，得到引腳去氧化的表貼面陣列器件。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種表貼面陣列器件引腳去氧化的方法，其特征在于，所述的步驟1中，助焊劑為松香基助焊劑。
3.根據(jù)權利要求1所述的一種表貼面陣列器件引腳去氧化的方法，其特征在于，步驟1中附著有助焊劑的表貼面陣列器件從室溫開始加熱至所述的熱處理溫度，升溫速率為0.5℃/s～2℃/s。
4.根據(jù)權利要求1所述的一種表貼面陣列器件引腳去氧化的方法，其特征在于，步驟1中，使用防靜電毛刷將助焊劑刷涂在表貼面陣列器件的引腳上。
5.根據(jù)權利要求1所述的一種表貼面陣列器件引腳去氧化的方法，其特征在于，步驟1中，當所述的表貼面陣列器件為塑封器件時，先烘干排潮處理后再刷涂助焊劑。
6.根據(jù)權利要求1所述的一種表貼面陣列器件引腳去氧化的方法，其特征在于，步驟2中熱處理后的表貼面陣列器件在所述溫度下降至室溫后去除殘留的助焊劑。
7.根據(jù)權利要求6所述的一種表貼面陣列器件引腳去氧化的方法，其特征在于，熱處理后的表貼面陣列器件的降溫速率為1℃/s～4℃/s。
8.根據(jù)權利要求1所述的一種表貼面陣列器件引腳去氧化的方法，其特征在于，所述的步驟2中，將熱處理后的表貼面陣列器件浸泡于酒精中，使用防靜電毛刷刷去引腳上的殘留助焊劑，之后自然晾干，得到引腳去氧化的表貼面陣列器件。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
