[發明專利]直流故障阻斷能力等效全橋子模塊的MMC子模塊拓撲結構

在審

• 申請號: 202010042957.8
• 申請日: 2020-01-15
• 公開（公告）號: CN111200366A
• 公開（公告）日: 2020-05-26
• 發明（設計）人: 孟永慶;鄒藝超;王海波;李錦;孔穎;杜正春
• 申請（專利權）人: 西安交通大學
• 主分類號: H02M7/00
• 分類號: H02M7/00;H02H7/12;H02J3/36
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 房鑫

1.一種直流故障阻斷能力等效全橋子模塊的MMC子模塊拓撲結構，其特征在于，包括第一輸出端(A)、第二輸出端(B)、第一晶體管(VT1)、第二晶體管(VT2)、第三晶體管(VT3)、第四晶體管(VT4)、第五晶體管(VT5)、第六晶體管(VT6)、第一二極管(VD1)、第二二極管(VD2)、第三二極管(VD3)、第四二極管(VD4)、第五二極管(VD5)、第六二極管(VD6)、第七二極管(VD7)、第八二極管(VD8)、第一穩壓電容(C1)及第二穩壓電容(C2)，其中，第一穩壓電容(C1)、第一晶體管(VT1)、第二晶體管(VT2)、第一二極管(VD1)及第二二極管(VD2)組成第一半橋子模塊(1)；第二穩壓電容(C2)、第三晶體管(VT3)、第四晶體管(VT4)、第三二極管(VD3)及第四二極管(VD4)組成第二半橋子模塊(2)；

第一輸出端(A)與第一晶體管(VT1)的發射極及第二晶體管(VT2)的集電極相連接，第二晶體管(VT2)的發射極與第五晶體管(VT5)的發射極及第一穩壓電容(C1)的負極相連接，第一穩壓電容(C1)的正極與第一晶體管(VT1)的集電極及第七二極管(VD7)的負極相連接，第五晶體管(VT5)的集電極與第六晶體管(VT6)的發射極、第七二極管(VD7)的正極及第八二極管(VD8)的負極相連接，第六晶體管(VT6)的發射極與第二穩壓電容(C2)的正極及第三晶體管(VT3)的集電極相連接，第三晶體管(VT3)的發射極與第四晶體管(VT4)的集電極相連接，第四晶體管(VT4)的發射極與第二穩壓電容(C2)的負極及第八二極管(VD8)的正極相連接；

第一二極管(VD1)的負極與第一晶體管(VT1)的集電極相連接，第一二極管(VD1)的正極與第一晶體管(VT1)的發射極相連接；

第二二極管(VD2)的負極與第二晶體管(VT2)的集電極相連接，第二二極管(VD2)的正極與第二晶體管(VT2)的發射極相連接；

第三二極管(VD3)的負極與第三晶體管(VT3)的集電極相連接，第三二極管(VD3)的正極與第三晶體管(VT3)的發射極相連接；

第四二極管(VD4)的負極與第四晶體管(VT4)的集電極相連接，第四二極管(VD4)的正極與第四晶體管(VT4)的發射極相連接；

第五二極管(VD5)的負極與第五晶體管(VT5)的集電極相連接，第五二極管(VD5)的正極與第五晶體管(VT5)的發射極相連接；

第六二極管(VD6)的負極與第六晶體管(VT6)的集電極相連接，第六二極管(VD6)的正極與第六晶體管(VT6)的發射極相連接。

2.根據權利要求1所述的直流故障阻斷能力等效全橋子模塊的MMC子模塊拓撲結構，其特征在于，當系統正常工作時，第五晶體管(VT5)及第六晶體管(VT6)處于導通狀態，工作電流依次經第五晶體管(VT5)及第六晶體管(VT6)；當系統出現直流故障時，第一晶體管(VT1)、第二晶體管(VT2)、第三晶體管(VT3)、第四晶體管(VT4)、第五晶體管(VT5)及第六晶體管(VT6)關閉，第一穩壓電容(C1)及第二穩壓電容(C2)處于故障回路上，通過第一穩壓電容(C1)及第二穩壓電容(C2)提供二倍阻斷電壓，以抑制故障電流，MMC子模塊拓撲結構的故障阻斷能力等同于全橋子模塊。

3.根據權利要求1所述的直流故障阻斷能力等效全橋子模塊的MMC子模塊拓撲結構，其特征在于，當系統出現直流故障時，第五晶體管(VT5)或第六晶體管(VT6)關閉。