[發明專利]內襯及半導體加工設備有效
| 申請號: | 202010042011.1 | 申請日: | 2020-01-15 |
| 公開(公告)號: | CN111243991B | 公開(公告)日: | 2022-12-09 |
| 發明(設計)人: | 賀斌;鄭友山 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;魏艷新 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 內襯 半導體 加工 設備 | ||
本發明提供一種內襯及半導體加工設備,其中,內襯包括筒本體、環體、多個柵格梁;柵格梁設置在筒本體的下端,并分別與筒本體和環體相連接;相鄰柵格梁之間的間隙,形成為供氣體通過的氣流通道,內襯還包括多個第一旋轉組件、多個第二旋轉組件、多個連接件,以及至少一個調節組件;多個柵格梁中,至少部分柵格梁為可調節柵格梁;調節組件通過連接件以及第二旋轉組件,與可調節柵格梁相連接,用于將可調節柵格梁與豎直方向的夾角調節至預設角度;可調節柵格梁是指分別與第一旋轉組件、第二旋轉組件、連接件相連接的柵格梁。本發明提供的內襯及半導體加工設備,能夠提高工藝氣體分布的均勻性,從而提高工藝均勻性,改善工藝結果。
技術領域
本發明涉及半導體設備技術領域,具體地,涉及一種內襯及半 導體加工設備。
背景技術
反應腔室作為工藝反應的載體,是刻蝕機的關鍵組成部分。側 下抽腔室結構作為一種常見的反應腔室結構,由于其硬件結構的不對 稱性,導致抽氣時大部分氣體直接從卡盤表面靠近泵口的區域被抽 走,而到達卡盤表面遠離泵口的區域的氣流較少。這就導致流場、靜 壓場和密度場的不均勻,而流場、靜壓場和密度場的均勻性,又與工 藝均勻性有密切關系。
目前,通常在腔室中設置如圖1所示的內襯11,該內襯11的底 部設置有多個柵格12,相鄰的柵格12之間形成柵格孔,這對改善流 場均勻性起到了一定的作用。但是,由于靠近泵口處受到泵的抽力較 大,遠離泵口處受到泵的抽力較小,通過流體仿真分析,發現如圖2 和圖3所示,在襯底(Wafer)的表面,仍會出現氣流在靠近泵口的 區域的流場、靜壓場和密度場大于遠離泵的區域的流場、靜壓場和密 度場的現象,這就會使得襯底的均勻性較差。
發明內容
本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一,提出了 一種內襯及半導體加工設備,其能夠提高工藝氣體分布的均勻性,從 而提高工藝均勻性,改善工藝結果。
為實現本發明的目的而提供一種內襯,包括筒本體、環體、多 個柵格梁;所述柵格梁設置在所述筒本體的下端,并分別與所述筒本 體和所述環體相連接;相鄰所述柵格梁之間的間隙,形成為供氣體通
所述內襯還包括多個第一旋轉組件、多個第二旋轉組件、多個 連接件,以及至少一個調節組件;
所述多個柵格梁中,至少部分所述柵格梁為可調節柵格梁;
所述調節組件通過所述連接件以及所述第二旋轉組件,與所述 可調節柵格梁相連接,用于將所述可調節柵格梁與豎直方向的夾角調 節至預設角度;
所述可調節柵格梁是指分別與所述第一旋轉組件、所述第二旋 轉組件、所述連接件相連接的柵格梁。
優選的,所述第一旋轉組件設置在所述筒本體上,且與所述可 調節柵格梁的第一端部連接;
所述第二旋轉組件通過所述連接件與所述環體相連接,且與所 述可調節柵格梁的第二端部連接。
優選的,所述連接件為螺旋狀的管線;
所述連接件一端連接所述環體,另一端線繞在所述第二旋轉組 件的外表面上。
優選的,所述連接件為壓電體,與所述調節組件電連接;
所述壓電體通過接收所述調節組件所施加的電壓,產生形變, 以帶動第二旋轉組件轉動,且帶動所述可調節柵格梁轉動。
優選的,所述柵格梁水平排布,所述可調節柵格梁與豎直方向 的夾角隨著所述可調節柵格梁的轉動發生線性變化。
優選的,所述柵格梁與所述筒本體的一橫截面呈預設夾角的傾 斜排布,所述可調節柵格梁與豎直方向的夾角隨著所述可調節柵格梁 的轉動發生非線性變化。
優選的,所述預設角度的取值范圍為0°-90°。
優選的,所述預設夾角的取值范圍為10°-30°。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





