[發(fā)明專利]用于襯底處理腔室的底座

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• 申請日: 2020-01-15
• 公開（公告）號: CN111434799A
• 公開（公告）日: 2020-07-21
• 發(fā)明（設計）人: S·M·博貝克;V·S·C·帕里米;P·K·庫爾施拉希薩;V·K·普拉巴卡爾;K·D·李;S·河;J·李
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: C23C16/458
• 分類號: C23C16/458;C23C16/513
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 侯穎媖;張鑫

1.一種用于在襯底處理腔室中設置的底座，包括：

主體，所述主體包括支撐表面和從所述支撐表面向上突出的臺階狀表面，所述臺階狀表面圍繞所述支撐表面設置以包圍所述支撐表面，并且所述臺階狀表面限定邊緣環(huán)，使得所述邊緣環(huán)與所述底座成一體以形成所述主體，所述主體是整體的；

電極，所述電極設置在所述主體中；以及

一個或多個加熱器，所述一個或多個加熱器設置在所述主體中。

2.如權利要求1所述的底座，其中所述邊緣環(huán)是所述主體的第一部分，并且所述底座是所述主體的第二部分。

3.如權利要求2所述的底座，其中具有所述邊緣環(huán)的所述第一部分具有與具有所述底座的所述第二部分的體電阻率不同的體電阻率。

4.如權利要求3所述的底座，其中具有所述邊緣環(huán)的所述第一部分的所述體電阻率小于具有所述底座的所述第二部分的所述體電阻率。

5.如權利要求2所述的底座，其中具有所述邊緣環(huán)的所述第一部分包括第一材料，并且具有所述底座的所述第二部分包括與所述第一材料不同的第二材料。

6.如權利要求2所述的底座，其中所述電極涂覆有涂層，所述涂層具有比所述電極的所述體電阻率高的體電阻率。

7.如權利要求6所述的底座，其中具有所述邊緣環(huán)的所述第一部分包括從所述支撐表面向上延伸的內表面以及在所述內表面的上端部上的斜面，所述斜面在所述內表面與所述臺階狀表面之間延伸。

8.一種用于在襯底處理腔室中設置的底座，包括：

主體，所述主體包括支撐表面；

第一電極，所述第一電極在低于所述支撐表面的第一深度處設置在所述主體中；以及

涂層，所述涂層涂覆在所述第一電極的至少一部分上，所述涂層具有比所述第一電極的體電阻率大的體電阻率。

9.如權利要求8所述的底座，其中所述第一深度在0.5mm至4mm的范圍內。

10.如權利要求8所述的底座，其中所述第一深度為至少1.2mm。

11.如權利要求8所述的底座，其中所述涂層使用表皮涂覆、表面化學改性、電鍍、蝕刻、氧化、基于真空的金屬沉積、塑料涂覆和/或酸浸漬中的一種或多種涂覆在所述第一電極的至少一部分上。

12.如權利要求8所述的底座，還包括邊緣環(huán)，其中所述涂層涂覆到所述第一電極的在所述邊緣環(huán)的內表面的徑向內側對準的一部分上。

13.如權利要求12所述的底座，其中所述涂層涂覆到所述第一電極的在所述邊緣環(huán)的所述內表面的徑向外側對準的一部分上。

14.如權利要求12所述的底座，還包括第二電極，所述第二電極在低于所述支撐表面的第二深度處設置在所述主體中，所述第一深度大于所述第二深度。

15.一種襯底處理腔室，包括：

腔室主體，所述腔室主體包括內部容積；

底座，所述底座設置在所述內部容積中，所述底座包括支撐表面；以及

邊緣環(huán)，所述邊緣環(huán)包括內表面、外表面、上表面以及斜面，所述斜面在所述內表面的上端部上，所述斜面在所述內表面與所述上表面之間延伸。

16.如權利要求15所述的襯底處理腔室，其中所述斜面包括傾斜輪廓，所述傾斜輪廓在所述邊緣環(huán)的所述內表面和所述上表面之間以一角度延伸，并且所述角度是在從所述支撐表面向上且正交地延伸的第一軸線與沿所述斜面的所述傾斜輪廓延伸的第二軸線之間測量的。

17.如權利要求16所述的襯底處理腔室，其中所述角度在10度至60度的范圍內。