[發明專利]一種具有自極化行為的PbZrO3 在審
| 申請號: | 202010041869.6 | 申請日: | 2020-01-15 |
| 公開(公告)號: | CN111223762A | 公開(公告)日: | 2020-06-02 |
| 發明(設計)人: | 張天棟;遲慶國;張昌海 | 申請(專利權)人: | 哈爾濱理工大學 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L27/11502 |
| 代理公司: | 哈爾濱市偉晨專利代理事務所(普通合伙) 23209 | 代理人: | 劉坤 |
| 地址: | 150080 黑龍*** | 國省代碼: | 黑龍江;23 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 具有 極化 行為 pbzro base sub | ||
1.一種具有自極化行為的PbZrO3/Al2O3異質結構復合薄膜,其特征在于,包括由PbZrO3薄膜構成的頂膜和由Al2O3薄膜構成的底膜,所述頂膜和底膜經晶化處理相復合。
2.根據權利要求1所述一種具有自極化行為的PbZrO3/Al2O3異質結構復合薄膜,其特征在于,所述PbZrO3薄膜的厚度為150~400nm,所述Al2O3薄膜的厚度為10~200nm。
3.根據權利要求1或2所述一種具有自極化行為的PbZrO3/Al2O3異質結構復合薄膜,其特征在于,所述PbZrO3/Al2O3異質結構復合薄膜呈現鐵電極化特征,其剩余極化強度值為5~42.5μC/cm2。
4.一種具有自極化行為的PbZrO3/Al2O3異質結構復合薄膜的制備方法,其特征在于,分別制備Al2O3前驅體溶液和PbZrO3前驅體溶液,采用旋涂法利用Al2O3前驅體溶液制備Al2O3薄膜,將所得Al2O3薄膜置于一定溫度下預燒處理,在所得Al2O3薄膜上繼續旋涂PbZrO3前驅體溶液制備PbZrO3薄膜并得到PbZrO3/Al2O3復合薄膜,將所得PbZrO3/Al2O3復合薄膜置于一定溫度下預燒后進行晶化處理,獲得晶化的PbZrO3/Al2O3異質結構復合薄膜。
5.根據權利要求4所述一種具有自極化行為的PbZrO3/Al2O3異質結構復合薄膜的制備方法,其特征在于,所述Al2O3前驅體溶液的制備方法為:將乙二醇甲醚和冰醋酸按體積比4:1混合制備溶劑,將異丙醇鋁按摩爾體積比0.01~0.05mol:1L溶解在所述溶劑中,60~80℃攪拌30~60min獲得澄清溶液A,將其陳化靜置24h得到Al2O3前驅體溶液。
6.根據權利要求4或5所述一種具有自極化行為的PbZrO3/Al2O3異質結構復合薄膜的制備方法,其特征在于,所述PbZrO3前驅體溶液的制備方法為:將醋酸鉛按摩爾體積比0.2~0.4mol:1L溶解在乙二醇甲醚中,60~80℃攪拌30~60min獲得澄清溶液B,向冷卻至室溫的澄清溶液B中滴加與醋酸鉛等摩爾量的異丙醇鋯,攪拌30~60min后將其陳化靜置24h得到PbZrO3前驅體溶液。
7.根據權利要求6所述一種具有自極化行為的PbZrO3/Al2O3異質結構復合薄膜的制備方法,其特征在于,所述旋涂的轉速均為3000~4000r/min,旋涂時間均為10~15s,所述Al2O3薄膜的厚度為10~200nm,所述PbZrO3薄膜的厚度為150~400nm。
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





