[發明專利]半導體裝置以及其形成方法

在審

• 申請號: 202010040933.9
• 申請日: 2020-01-15
• 公開（公告）號: CN113130641A
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發明（設計）人: 陳志諺
• 申請（專利權）人: 世界先進積體電路股份有限公司
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/40;H01L21/335
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 趙平;周永君

1.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

一基板；

一柵極電極，設置于所述基板上；

一第一介電層，設置于所述柵極電極上且具有一第一凹槽以及一第二凹槽；

一源極場板，設置于所述第一介電層上，且延伸設置于所述第一凹槽以及所述第二凹槽內；

一第二介電層，設置于所述源極場板上；

一源極電極，設置于所述第二介電層上且與所述源極場板電連接；以及

一漏極電極，設置于所述第二介電層上，且所述漏極電極與所述源極電極設置于所述柵極電極的相對兩側，其中所述第一凹槽與所述第二凹槽位于所述柵極電極與所述漏極電極之間。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一凹槽未貫穿所述第一介電層，且所述第二凹槽貫穿所述第一介電層。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一凹槽與所述第二凹槽分別具有一第一底表面與一第二底表面，所述柵極電極具有一閘底面，其中所述第一底表面及/或所述第二底表面較所述閘底面鄰近所述基板。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述源極場板包括一階梯狀結構，所述階梯狀結構設置于所述第一凹槽以及所述第二凹槽中。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，所述源極電極與所述階梯狀結構不重疊。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一凹槽與所述第二凹槽不相連。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一凹槽的深度與所述第二凹槽的深度不同或相同。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一凹槽以及所述第二凹槽相連。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一凹槽的深度與所述第二凹槽的深度不同。

10.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述源極電極與所述柵極電極不重疊。

11.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，還包括一第三介電層，設置于所述第二介電層上且覆蓋所述源極電極與所述漏極電極。

12.根據權利要求11所述的半導體裝置，其特征在于，還包括一源極接觸件以及一漏極接觸件，設置于所述第三介電層上，其中所述源極接觸件以及所述漏極接觸件穿過所述第三介電層，分別與所述源極電極以及所述漏極電極電連接。

13.根據權利要求11所述的半導體裝置，其特征在于，還包括一第四介電層，設置于所述柵極電極與所述基板之間，其中所述源極場板與所述第四介電層直接接觸。

14.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一介電層包括一第一部分以及一第二部分，所述第一凹槽以及所述第二凹槽將所述第一部分以及所述第二部分隔開。

15.根據權利要求14所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一部分鄰近于所述漏極電極，所述第二部分鄰近于所述源極電極，所述源極場板從所述第二部分延伸至所述第一部分。

16.根據權利要求15所述的半導體裝置，其特征在于，所述源極場板從所述第二部分的一頂表面延伸至所述第一部分的一頂表面。