[發(fā)明專利]一種提高放射性氣體吸附量的裝置和方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010040698.5 | 申請(qǐng)日: | 2020-01-15 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111243772A | 公開(公告)日: | 2020-06-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 袁紅志;譚延亮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 衡陽(yáng)師范學(xué)院 |
| 主分類號(hào): | G21F9/02 | 分類號(hào): | G21F9/02;B01D53/04;B01D53/26 |
| 代理公司: | 長(zhǎng)沙楚為知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 43217 | 代理人: | 李大為 |
| 地址: | 421008 湖*** | 國(guó)省代碼: | 湖南;43 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 提高 放射性 氣體 吸附 裝置 方法 | ||
1.一種提高放射性氣體吸附量的裝置,其特征在于,包括:控制器、電磁閥、第一三通閥、第一吸附裝置、氣泵、第二三通閥、冷凝除水裝置、第二吸附裝置、調(diào)節(jié)閥;所述第一三通閥、所述第一吸附裝置、所述氣泵、所述第二三通閥、所述冷凝除水裝置、所述第二吸附裝置依次通過(guò)氣管連通,形成串聯(lián)的環(huán)路;所述調(diào)節(jié)閥與所述第一三通閥通過(guò)氣管連接;所述控制器驅(qū)動(dòng)所述氣泵、所述第一三通閥、所述第二三通閥、所述調(diào)節(jié)閥正常工作;所述第一吸附裝置內(nèi)置加熱管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高放射性氣體吸附量的裝置,其特征在于,所述冷凝除水裝置包括冷卻水箱、冷凝水收集器和干燥器;所述冷凝水收集器具有進(jìn)水口;所述干燥器具有進(jìn)氣口和出氣口;氣管穿過(guò)所述冷卻水箱后,通過(guò)三通管分別與所述冷凝水收集器的進(jìn)水口、所述干燥器的進(jìn)氣口接通。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的提高放射性氣體吸附量的裝置,其特征在于,所述冷卻水箱與所述冷凝水收集器的裝設(shè)位置具有高度差。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的提高放射性氣體吸附量的裝置,其特征在于,所述冷凝水收集器具有進(jìn)水口和放水口,所述放水口通過(guò)密封螺栓密封。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的提高放射性氣體吸附量的裝置,其特征在于,所述冷卻水箱具有進(jìn)水口和出水口,用于更換所述冷卻水箱內(nèi)的水。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的提高放射性氣體吸附量的裝置,其特征在于,所述干燥器中裝有干燥劑。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一所述的提高放射性氣體吸附量的裝置,其特征在于,n組所述環(huán)路形成n級(jí)回路,分別為第1級(jí)回路、第2級(jí)回路、……、第n級(jí)回路;還包括總泵、總調(diào)節(jié)閥、總多通閥;所述總泵、所述總調(diào)節(jié)閥和所述總多通閥依次通過(guò)氣管連通,所述總多通閥分別與多組所述環(huán)路的所述電磁閥通過(guò)氣管連通;所述控制器還用于控制所述總泵、所述總調(diào)節(jié)閥、所述總多通閥的正常工作。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述提高放射性氣體吸附量的裝置,其特征在于,n級(jí)回路之間共用一組所述冷凝除水裝置。
9.一種使用權(quán)利要求1-8任一所述的提高放射性氣體吸附量的裝置的提高放射性氣體吸附量的方法,其特征在于,包括步驟:
S1、所述控制器控制所述第一三通閥導(dǎo)通所述電磁閥與所述第一吸附裝置之間的通路,并控制所述第二三通閥導(dǎo)通所述第一吸附裝置和外界的通路,經(jīng)過(guò)所述第一吸附裝置將廢氣中的放射性氣體吸附處理后,經(jīng)過(guò)所述第二三通閥排出到空氣中;
S2、在所述第一吸附裝置對(duì)放射性氣體達(dá)到吸附極限后,所述控制器控制所述第一三通閥和所述第二三通閥導(dǎo)通所述環(huán)路,并控制所述第一吸附裝置中的加熱管開始加熱,并控制所述電磁閥斷路,并驅(qū)動(dòng)所述氣泵,使所述第一吸附裝置的氣壓低于所述第二吸附裝置內(nèi)的氣壓,使所述第一吸附裝置吸附的放射性氣體快速析出;放射性氣體通過(guò)所述冷凝除水裝置后,進(jìn)入所述第二吸附裝置內(nèi)被吸附;
S3、在所述第一吸附裝置內(nèi)的放射性氣體被所述第二吸附裝置吸附完全后,執(zhí)行步驟S1。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的提高放射性氣體吸附量的方法,其特征在于,當(dāng)所述提高放射性氣體吸附量的裝置為n級(jí)回路時(shí),所述步驟S2中還包括:
在所述第i級(jí)回路中所述第一吸附裝置達(dá)到吸附極限后,所述控制器控制所述總多通閥導(dǎo)通所述總調(diào)節(jié)閥與第i+1級(jí)回路的通路,使用所述第i+1級(jí)回路對(duì)廢氣進(jìn)行吸附處理;其中,1≤in。
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