[發明專利]一種用于CMOS圖像傳感器單粒子翻轉效應的測試方法

在審

• 申請號: 202010040606.3
• 申請日: 2020-01-15
• 公開（公告）號: CN111220867A
• 公開（公告）日: 2020-06-02
• 發明（設計）人: 文林;蔡毓龍;李豫東;周東;馮婕;郭旗
• 申請（專利權）人: 中國科學院新疆理化技術研究所
• 主分類號: G01R31/00
• 分類號: G01R31/00;G01C25/00;H04N17/00
• 代理公司: 烏魯木齊中科新興專利事務所(普通合伙) 65106
• 代理人: 張莉

1.一種用于CMOS圖像傳感器單粒子翻轉效應的測試方法，其特征在于，該方法所涉及的測試系統是由PC機和CMOS圖像傳感器測試板組成，其中CMOS圖像傳感器測試板由圖像和數據接口、現場可編程門陣列、CMOS圖像傳感器和外圍電路組成，在PC機中設置有圖像成像軟件和寄存器讀寫軟件，PC機中圖像采集卡通過數據線與CMOS圖像傳感器測試板中的圖像和數據接口相連，現場可編程門陣列將圖像數據映射成標準圖像格式傳遞給PC機，電源通過外圍電路為CMOS圖像傳感器和現場可編程門陣列供電，寄存器讀寫軟件可讀寫CMOS圖像傳感器內部寄存器值，同時將讀出值和初值進行比較，判定該寄存器是否發生翻轉，并自動統計寄存器發生翻轉次數，具體操作按下列步驟進行：

a、首先安裝連接好CMOS圖像傳感器測試板，然后通過圖像和數據接口給內部寄存器寫入初值，使得CMOS圖像傳感器正常工作；

b、粒子輻照開始后，實時在線采集暗場圖像，并通過圖像和數據傳輸線傳輸到PC機圖像成像軟件上，觀察圖像是否異常；同時，通過寄存器讀寫軟件實時在線讀取CMOS圖像傳感器內部寄存器值，并與已寫入寄存器初值進行比較；

c、如果比較過程中由某寄存器的值與其初值不相等，則判定該寄存器發生翻轉；

d、接著對每一個發生翻轉寄存器進行翻轉次數單獨統計，輻照結束后累加所有寄存器翻轉次數作為器件整體翻轉次數；

e、按時間標準挑選出翻轉的寄存器和其翻轉后采集圖像，建立寄存器翻轉和異常圖像對應關系；

f、最后依據單個寄存器翻轉次數和寄存器整體翻轉次數，評估該CMOS圖像傳感器單個寄存器和整個器件的翻轉截面。