[發明專利]一種減少繞鍍和色差的PERC太陽能電池制作方法

有效

• 申請號: 202010040515.X
• 申請日: 2020-01-15
• 公開（公告）號: CN111081823B
• 公開（公告）日: 2021-12-17
• 發明（設計）人: 姜澤光;林綱正;陳剛
• 申請（專利權）人: 廣東愛旭科技有限公司;浙江愛旭太陽能科技有限公司;珠海富山愛旭太陽能科技有限公司;天津愛旭太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/068
• 代理公司: 浙江杭州金通專利事務所有限公司 33100
• 代理人: 金麗英

1.一種減少繞鍍和色差的PERC太陽能電池制作方法，包括制絨、擴散、正面激光、刻蝕、退火、背面沉積鈍化膜、正面沉積減反膜、背面激光、絲網印刷和燒結步驟，其特征在于：所述背面沉積鈍化膜步驟在硅片背面依次沉積背面氧化鋁膜、背面氧化硅膜、第一層背面氮化硅膜，在所述正面沉積減反膜步驟之后、所述背面激光步驟之前增加背面沉積第二層氮化硅膜步驟，所述背面沉積第二層氮化硅膜步驟在硅片背面沉積折射率低但膜厚較厚的第二層背面氮化硅膜，所述第二層背面氮化硅膜折射率為1.95至2.05、膜厚為30至80納米。

2.如權利要求1所述的減少繞鍍和色差的PERC太陽能電池制作方法，其特征在于：所述背面沉積鈍化膜步驟形成的所述背面氧化鋁膜厚度為5至15納米，背面氧化硅膜的厚度為12至35納米。

3.如權利要求1所述的減少繞鍍和色差的PERC太陽能電池制作方法，其特征在于：所述背面沉積鈍化膜步驟形成的第一層背面氮化硅膜為折射率高膜厚偏低的膜層，所述第一層背面氮化硅膜折射率為2.18至2.25、膜厚為10至30納米。

4.如權利要求1所述的減少繞鍍和色差的PERC太陽能電池制作方法，其特征在于：所述正面沉積減反膜步驟在硅片正面依次沉積高折射率的第一層正面氮化硅膜、低折射率的第二層正面氮化硅膜、折射率低于所述第二層正面氮化硅膜的第一層正面氮氧化硅膜、折射率低于所述第一層正面氮氧化硅膜的第二層正面氮氧化硅膜、折射率低于所述第二層正面氮氧化硅膜的正面氧化硅膜。

5.如權利要求4所述的減少繞鍍和色差的PERC太陽能電池制作方法，其特征在于：所述第一層正面氮化硅膜折射率為2.15至2.25、膜厚為12至24納米，所述第二層正面氮化硅膜折射率為1.95至2.10、膜厚為32至55納米，所述第一層正面氮氧化硅膜折射率為1.85至1.95、膜厚為5至20納米，所述第二層正面氮氧化硅膜折射率為1.61至1.82、膜厚為5至20納米，所述正面氧化硅膜折射率為1.31至1.52、膜厚為5至20納米。