[發明專利]一種過電壓檢測傳感器加工方法及過電壓檢測傳感器在審
| 申請號： | 202010040196.2 | 申請日： | 2020-01-15 |
| 公開（公告）號： | CN111220832A | 公開（公告）日： | 2020-06-02 |
| 發明（設計）人： | 彭晶;王科;譚向宇;鄧云坤;馬儀;趙現平;李昊;劉紅文;張文斌;寧友歡 | 申請（專利權）人： | 云南電網有限責任公司電力科學研究院 |
| 主分類號： | G01R3/00 | 分類號： | G01R3/00;G01R19/165 |
| 代理公司： | 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 逯長明;許偉群 |
| 地址： | 650217 云南省昆*** | 國省代碼： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 過電壓 檢測 傳感器 加工 方法 | ||
1.一種過電壓檢測傳感器加工方法，其特征在于，所述方法包括：
將襯底放置于密閉容器中，預設溫度條件下向所述密閉容器通入硅烷，使得硅烷在所述襯底表面熱分解，在所述襯底表面得到硅；
向密閉容器中通入氧氣，使得硅與氧氣反應并在所述襯底表面形成二氧化硅薄膜的中間介質，得到上極板和下極板；
將所述上極板和所述下極板拼合之后，得到晶片；
利用金屬噴鍍法在晶片的兩面噴涂鋁，封裝入傳感器外殼，得到所述過電壓檢測傳感器。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述預設溫度為400～500℃。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述二氧化硅薄膜的厚度為2μm。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，向密閉容器中通入氧氣的同時，還向所述密閉容器中通入氮氣。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，利用金屬噴鍍法在晶片的兩面噴涂鋁之后，還包括：將噴涂鋁之后的晶片在450℃溫度條件下燒結20min。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，向密閉容器中通入氧氣，使得硅與氧氣反應并在襯底表面形成二氧化硅薄膜之后，還包括：在950℃～1050℃的溫度條件和滲氮條件下對表面形成二氧化氮薄膜的襯底進行退火處理1h。
7.一種過電壓檢測傳感器，其特征在于，所述過電壓檢測傳感器利用權利要求1至6任意一種方法制成，所述過電壓傳感器包括：上極板(6)、中間介質(7)、下極板(8)以及傳感器外殼(9)，所述上極板(6)、所述中間介質(7)以及所述下極板(8)按照由頂部至底部的順序設置于所述傳感器外殼(9)的內部。
8.根據權利要求7所述的過電壓檢測傳感器，其特征在于，所述上極板(6)、所述中間介質(7)以及所述下極板(8)均呈圓錐體狀。
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