[發明專利]一種高透膜及其制備方法在審
| 申請號: | 202010040172.7 | 申請日: | 2020-01-15 |
| 公開(公告)號: | CN111103639A | 公開(公告)日: | 2020-05-05 |
| 發明(設計)人: | 孔祥永;葛建峰;徐金龍;耿龍飛 | 申請(專利權)人: | 湖南中天碧水膜科技有限公司 |
| 主分類號: | G02B1/14 | 分類號: | G02B1/14;G02B1/16 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 417000 湖南省婁底市婁星*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 高透膜 及其 制備 方法 | ||
1.一種高透膜,其特征在于,包括基材層,所述基材層包含第一光學面和第二光學面,所述第一光學面上設置有高折硬化層,低折硬化層,所述第二光學面上設置有普通硬化層,所述高折硬化層的折射率為1.60-1.70,所述低折硬化層的折射率小于1.4。
2.根據權利要求1所述的高透膜,其特征在于,所述高折硬化層的厚度范圍為0.5-2μm,所述低折硬化層的厚度范圍為90-110nm。
3.根據權利要求1所述的高透膜,其特征在于,所述第二光學面上設置有普通硬化層,所述普通硬化層的厚度范圍為0.5-1.0μm。
4.根據權利要求1所述的高透膜,其特征在于,所述普通硬化層的折射率范圍為1.48-1.52。
5.根據權利要求1所述的高透膜,其特征在于,所述低折硬化層中含有中空二氧化硅粒子,所述中空二氧化硅粒子的粒徑范圍為10-100nm。
6.根據權利要求1所述的高透膜,其特征在于,所述高折硬化層與所述低折硬化層中分別含有鋰鹽結構的抗靜電劑。
7.根據權利要求1所述的高透膜,其特征在于,所述高折硬化層鉛筆硬度范圍為400-600g/H,所述低折硬化層中鉛筆硬度范圍為400-600g/H。
8.一種包含權利要求1-6任一項所述的高透膜的制備方法,其特征在于,包含以下步驟:
S1,將制備好的高折硬化液涂布基材層的第一光學面上,然后進入多節烘箱進行固化,所述烘箱溫度分別設置范圍為40-150℃,UV能量設置在300-600mJ/cm2,獲得高折硬化層;
S2,將制備好的低折硬化液涂布在所述高折硬化層遠離基材層的一側,然后進入多節烘箱進行固化,所述烘箱溫度分別設置范圍在40-150℃,UV能量設置在300-600mJ/cm2,獲得低折硬化層。
9.根據權利要求8所述的高透膜的制備方法,其特征在于,所述S1中烘箱包含5節,所述烘箱溫度由膜材進入口開始依次設置范圍為50℃-70℃,50℃-80℃,60℃-90℃,70℃-100℃,60℃-90℃,所述S2烘箱中包含5節,所述S2中烘箱溫度由膜材進入口開始依次設置范圍為50℃-70℃,50℃-80℃,80℃-100℃,90℃-120℃,80℃-100℃。
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