[發明專利]一種實現三維顯示的疊層超表面及其設計方法有效
| 申請號: | 202010040125.2 | 申請日: | 2020-01-15 |
| 公開(公告)號: | CN111158076B | 公開(公告)日: | 2020-10-30 |
| 發明(設計)人: | 李子樂;鄭國興;李仲陽;鄧聯貴;鄧娟;戴琦;付嬈 | 申請(專利權)人: | 武漢大學 |
| 主分類號: | G02B5/30 | 分類號: | G02B5/30;G02B27/00;G02B30/25;G02B30/34 |
| 代理公司: | 武漢科皓知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人: | 胡琦旖 |
| 地址: | 430072 湖*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 實現 三維 顯示 疊層超 表面 及其 設計 方法 | ||
1.一種實現三維顯示的疊層超表面,其特征在于,包括:基底層、第一納米磚陣列層、隔離層、第二納米磚陣列層;
所述基底層劃分為多個尺寸一致的單元結構,所述第一納米磚陣列層包括多個尺寸一致的第一納米磚,所述第二納米磚陣列層包括多個尺寸一致的第二納米磚,所述第二納米磚和所述第一納米磚的數量相同;每個所述單元結構的工作面上設有一個所述第一納米磚,一個所述第二納米磚與一個所述第一納米磚對應設置,所述隔離層用于將所述第一納米磚和所述第二納米磚隔離開;
圓偏振光入射至所述基底層,并依次通過所述第一納米磚陣列層、所述隔離層、所述第二納米磚陣列層后出射,生成第一目標全息圖像和第二目標全息圖像;
所述單元結構的工作面為正方形,所述第一納米磚、所述第二納米磚均為長方體形,所述單元結構、所述第一納米磚、所述第二納米磚均為亞波長級;以所述單元結構的兩直角邊為x軸和y軸;以所述第一納米磚的長邊為第一長軸,以所述第一納米磚的短邊為第一短軸;以所述第二納米磚的長邊為第二長軸,以所述第二納米磚的短邊為第二短軸;
所述第一納米磚對入射的所述圓偏振光的作用表示為:
式中,θ1為所述第一納米磚的轉向角,所述第一納米磚的轉向角為所述第一長軸與x軸的夾角;
所述圓偏振光經過所述第一納米磚后得到第一透射光、第二透射光,所述第一透射光、所述第二透射光的能量相等;所述第一透射光的相位調制量為0,所述第二透射光的相位調制量為2θ1;
所述第二納米磚對入射的所述第一透射光、所述第二透射光的作用表示為:
式中,θ2為所述第二納米磚的轉向角,所述第二納米磚的轉向角為所述第二長軸與x軸的夾角;
所述第二納米磚對所述第一透射光的相位調制量為2θ2,所述第二納米磚對所述第二透射光的相位調制量為-2θ2;
所述第一透射光經過所述第一納米磚、所述第二納米磚后的第一相位調制量為2θ2,所述第二透射光經過所述第一納米磚、所述第二納米磚后的第二相位調制量為2(θ1-θ2)。
2.根據權利要求1所述的實現三維顯示的疊層超表面,其特征在于,所述隔離層位于所述基底層和所述第二納米磚陣列層之間,并包覆所述第一納米磚陣列層。
3.根據權利要求1所述的實現三維顯示的疊層超表面,其特征在于,所述隔離層的厚度為入射的所述圓偏振光的半個波長。
4.根據權利要求1所述的實現三維顯示的疊層超表面,其特征在于,所述基底層和所述隔離層均采用熔融石英玻璃材料制成,所述第一納米磚和所述第二納米磚均采用硅材料制成。
5.根據權利要求1所述的實現三維顯示的疊層超表面,其特征在于,所述第一納米磚用于實現四分之一波片的功能,所述第二納米磚用于實現半波片的功能。
6.一種如權利要求1-5中任一所述的實現三維顯示的疊層超表面的設計方法,其特征在于,包括以下步驟:
以所述單元結構的兩邊為x軸和y軸建立xoy坐標系,選取入射的所述圓偏振光的工作波長,選取所述第一納米磚和所述第二納米磚的材料;
基于所述工作波長,基于所述第一納米磚和所述第二納米磚的材料,采用電磁仿真軟件建模仿真,在所述第一納米磚、所述第二納米磚的轉向角均為0時,以所述圓偏振光垂直于所述工作面入射,在所述工作波長下,掃描獲得所述單元結構、所述第一納米磚、所述第二納米磚的尺寸參數;
以人眼的左視圖為所述第一目標全息圖像,獲得第一相位調制量;以人眼的右視圖為所述第二目標全息圖像,獲得第二相位調制量;
根據所述第一相位調制量、所述第二相位調制量獲得所述第一納米磚的轉向角、所述第二納米磚的轉向角。
7.根據權利要求6所述的實現三維顯示的疊層超表面的設計方法,其特征在于,所述掃描獲得所述單元結構、所述第一納米磚、所述第二納米磚的尺寸參數包括:
以同向圓偏光透過率和反向圓偏光透過率相等作為優化對象,獲得所述單元結構的尺寸參數、所述第一納米磚的尺寸參數;
以同向圓偏光透過率低于第一預設透過率,反向圓偏光透過率高于第二預設透過率為優化對象,獲得所述第二納米磚的尺寸參數。
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