[發明專利]一種基于金屬粉末制備半導體氧化物薄膜的方法

在審

• 申請號: 202010040093.6
• 申請日: 2020-01-15
• 公開（公告）號: CN111243939A
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發明（設計）人: 胡榮;柳紅東;劉玉榮
• 申請（專利權）人: 重慶文理學院
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 重慶晶智匯知識產權代理事務所(普通合伙) 50229
• 代理人: 李靖

1.一種基于金屬粉末制備半導體金屬氧化物薄膜的方法，其特征在于：包括前驅液制備和氧化物薄膜制備兩個步驟，前驅液制備具體是以金屬粉末溶解于雙氧水、氨水和去離子水組成的混合液中，充分攪拌溶解12h，再陳化2~4h制得前驅液；氧化物薄膜制備具體是將制備好的前驅液通過旋涂或噴涂方式于基板表面制備濕膜，并通過熱退火處理制得金屬氧化物薄膜。

2.如權利要求1所述的一種基于金屬粉末制備半導體金屬氧化物薄膜的方法，其特征在于：所述金屬粉末可以是Zn、Cu、Mo、Ag中的一種。

3.如權利要求2所述的一種基于金屬粉末制備半導體金屬氧化物薄膜的方法，其特征在于：上述混合液是由質量濃度為25~28%氨水、質量濃度為30%的雙氧水和去離子水按體積比為0.5~1.5:0.06~0.95:0~0.5配制而成。

4.如權利要求3所述的一種基于金屬粉末制備半導體金屬氧化物薄膜的方法，其特征在于：上述金屬粉末與混合液的質量體積比約為1.5~20 mg/ml。

5.如權利要求4所述的一種基于金屬粉末制備半導體金屬氧化物薄膜的方法，其特征在于：上述攪拌具體是在17~25℃溫度下攪拌12h，攪拌速率為300~600 rpm。

6.如權利要求5所述的一種基于金屬粉末制備半導體金屬氧化物薄膜的方法，其特征在于：上述氧化物薄膜制備采用旋涂方式，具體是1500~3500rpm轉速下旋涂20~60s，制得濕膜，然后在150~240℃下退火，時間為20 min~60 min。

7.一種基于金屬粉末制備半導體金屬氧化物薄膜的方法，其特征在于，按如下步驟進行：

（1）、前驅液制備

具體是將金屬Zn粉末溶解于由質量濃度為30%的雙氧水、質量濃度為25~28%氨水和去離子水組成的混合溶液中，在17~25℃下以300~600 rpm的速率充分攪拌溶解12h，陳化2~4h制得前驅液，其中金屬Zn粉末與混合液的質量體積比為1.5~20 mg/ml，混合溶液中氨水、雙氧水與去離子水的體積比為0.5~1.5:0.06~0.95:0~0.5；

（2）、氧化物薄膜制備

具體是將制備好的前驅液通過旋涂方式于基板表面制備濕膜，然后在150~250℃下退火，時間為20 ~60 min；其中旋涂是在1500~3500rpm轉速下旋涂20~60s。