[發明專利]外部補償GOA電路及顯示面板有效
| 申請號: | 202010039999.6 | 申請日: | 2020-01-15 |
| 公開(公告)號: | CN111179827B | 公開(公告)日: | 2021-02-23 |
| 發明(設計)人: | 石龍強 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | G09G3/3208 | 分類號: | G09G3/3208;G09G3/3225;G09G3/3266 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 楊艇要 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 外部 補償 goa 電路 顯示 面板 | ||
本申請公開了一種外部補償GOA電路及顯示面板。通過新增隨機偵測信號輸出支路,在正常時間輸出掃描信號線的滿足正常驅動的第一輸出波形,在消隱時間輸出掃描信號線的滿足消隱時間隨機偵測的第二輸出波形,從而可以實現利用掃描信號的消隱時間,隨機偵測驅動晶體管的閾值電壓值,進而實現閾值電壓漂移的外部實時補償,改善畫面顯示的均勻性,提高面板顯示的壽命。
技術領域
本申請涉及指紋識別技術領域,尤其涉及一種外部補償GOA電路及顯示面板。
背景技術
有源矩陣有機發光二極管(Active-Matrix Organic Light Emitting Diode,簡稱AMOLED)顯示裝置是采用電流驅動OLED器件發光形成畫面的顯示器件。作為新一代的顯示技術,AMOLED具有更高的對比度、更快的反應速度和更廣的視角,因而廣泛應用在智能手機領域,經過不斷發展拓展至智能電視和可穿戴設備領域。
在驅動方式上,AMOLED屬于電流驅動型器件,對薄膜晶體管(Thin FilmTransistor,簡稱TFT)的電性變異比較敏感,TFT的閾值電壓(Vth)的漂移會影響畫面顯示的均勻性和準確性。AMOLED會補償采用外部補償來改善TFT的閾值電壓的漂移。外部補償的一種方式是實時補償,即利用掃描信號的消隱時間(Blanking time),隨機開啟一行的掃描信號G(n),系統開始偵測驅動晶體管的閾值電壓值,進而進行補償。
請一并參閱圖1A-圖1B,其中,圖1A為現有3T1C外部補償GOA電路的電路圖,圖1B為AMOLED外部實時補償所需GOA電路的掃描信號輸出波形圖。陣列基板行驅動(Gate driverOn Array,簡稱GOA)技術的功能是輸出掃描信號G(n)波形。
如圖1A所示,現有3T1C外部補償電路,3個TFT管均采用n型TFT。第一晶體管T1為驅動晶體管,其柵極電連接第一節點Q,其漏極接收直流正壓VDD,其源極電連接第二節點P。第二晶體管T2的柵極接收掃描信號G(n),其漏極接入數據信號線(Data)11,以接收數據電壓VData,其源極電連接所述第一節點Q。第三晶體管T3的柵極接收掃描信號G(n),其漏極接入感測信號線(Sense)12,以接收感測信號,其源極電連接所述第二節點P。電容器Cst電連接在所述第一節點Q與所述第二節點P之間。發光二極管D1的陽極電連接所述第二節點P,其陰極接直流負壓VSS。
如圖1B所示,其中,G(n)代表隨機的第n行掃描信號線(Gate)的輸出波形,G(n+1)代表第n+1行掃描信號線的輸出波形,G(n+2)代表第n+2行掃描信號線的輸出波形。在一幀時間A0內,G(n)的輸出波形包括正常時間(Normal time)的輸出波形部分A1和消隱時間(Blanking time)的輸出波形部分A2。
由于AMOLED閾值電壓漂移的外部實時補償,需要利用掃描信號的消隱時間,隨機開啟一行的掃描信號G(n),系統開始偵測驅動晶體管的閾值電壓值,進而進行補償。因此,如何實現GOA電路的輸出波形,既滿足正常驅動的波形輸出,也滿足消隱時間隨機偵測的波形輸出,成為實現AMOLED閾值電壓漂移的外部實時補償急需解決的問題。
發明內容
本申請實施例提供一種外部補償GOA電路及顯示面板,可以使得GOA電路的輸出波形,既滿足正常驅動的波形輸出,也滿足消隱時間隨機偵測的波形輸出,實現閾值電壓漂移的外部實時補償。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司,未經深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010039999.6/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種用于教學的任務板生成系統及方法
- 下一篇:正極材料前驅體及其制備方法





