[發明專利]開關控制電路、多路選擇開關電路及其控制方法

有效

• 申請號: 202010039535.5
• 申請日: 2020-01-14
• 公開（公告）號: CN111245218B
• 公開（公告）日: 2021-09-17
• 發明（設計）人: 陳飛祥;李偉江;李卓;楊俊
• 申請（專利權）人: 北京集創北方科技股份有限公司
• 主分類號: H02M3/07
• 分類號: H02M3/07;H02M1/44
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 李飛

本申請提供了一種開關控制電路、多路選擇開關電路以及多路選擇開關控制電路的控制方法。該開關控制電路包括：第一控制開關、第一電容和場效應管開關。本申請提供的技術方案，在第一控制開關斷開時，第一電容釋放的充電電壓可以控制場效應管開關導通，此時由于第一控制開關斷開，電源信號無法到達場效應管開關的柵極，故電源噪聲無法耦合進場效應管開關的源漏極所在線路，由此在第一電容放電階段，放電電壓可以作為控制信號，控制場效應管開關導通，從而減少電源耦合噪聲。

技術領域

本申請涉及電路技術領域，特別涉及一種開關控制電路、多路選擇開關電路以及多路選擇開關電路的控制方法。

背景技術

在集成電路中，開關可以由MOSFET(金屬-氧化物半導體場效應晶體管)來實現，其控制信號為柵極電壓。通過在MOSFET的柵極輸入高電平或低電平，控制MOSFET的導通和斷開。

但是，柵極電壓的噪聲會通過MOSFET柵源極之間的寄生電容耦合進源漏極所在線路，由此極大地損害信噪比。而開關的柵極電壓通常是接到電源或參考地，因此，開關的使用對于降低電源噪聲提出了較高的要求。

為減小電源耦合噪聲，現有通用的方法是使用高電源抑制比的LDO(低壓差線性穩壓器)生成電源電壓。然而，使用LDO技術降低電源噪聲，將會引入靜態電流，增加功耗。

發明內容

本申請實施例的目的在于提供一種開關控制電路，用以減小電源耦合噪聲，提高信號傳輸質量。

本申請實施例提供了一種開關控制電路，包括：

第一控制開關，用于在導通時傳輸電源信號；

第一電容，所述第一電容連接所述第一控制開關，用于接收所述電源信號進行充電，并在所述第一控制開關斷開時，釋放充電電壓；

場效應管開關，連接所述第一電容，所述場效應管開關用于接收所述第一電容釋放的充電電壓控制所述場效應管開關導通。

在一實施例中，所述開關控制電路，還包括：

第二控制開關，連接所述場效應管開關的漏極，用于在所述第一電容充電時導通，在所述第一電容放電時斷開；

信號處理電路，并聯在所述第二控制開關的兩端，所述信號處理電路用于在所述第二控制開關斷開時，對所述場效應管開關傳輸的模擬信號進行處理。

在一實施例中，所述信號處理電路為模擬前端，所述模擬前端包括：

運算放大器，所述運算放大器的反向輸入端連接所述場效應管開關的漏極，正向輸入端用于輸入參考電壓；

采樣電容，所述采樣電容的一端連接所述運算放大器的反向輸入端，另一端連接所述運算放大器的輸出端；

其中，所述第二控制開關并聯在所述采樣電容的兩端。

本申請實施例還提供了一種多路選擇開關電路，包括：

開關陣列，包括多組開關控制電路；

其中，每組開關控制電路包括本申請實施例提供的開關控制電路。

在一實施例中，該多路選擇開關電路還包括：

至少一組第二控制開關和信號處理電路；

所述第二控制開關分別連接每組開關控制電路中所述場效應管開關的漏極，用于在所述第一電容充電時導通，在所述第一電容放電時斷開；

所述信號處理電路并聯在所述第二控制開關的兩端，所述信號處理電路用于在所述第二控制開關斷開時，對所述場效應管開關傳輸的模擬信號進行處理。

在一實施例中，所述信號處理電路為模擬前端，所述模擬前端包括：